Everspin最新产品技术STT-MRAM

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Everspin最新产品技术STT-MRAM [复制链接]

2018年8月6日,在圣克拉拉举行的半导体存储行业活动中的技术，CA，MRAM开发者日和闪存峰会。

离散和嵌入式MRAM全球领先的开发商和制造商Everspin在这些活动中展示最新产品STT-MRAM,

会议中心主席兼首席执行官Kevin Conley发表主题演讲

作为MRAM的领导者Everspin以题为“MRAM革命”作为展示主题，在MRAM技术方面，Everspin也在整个展览中占据突出地位，

Everspin的展台采用Everspin最新的旋转传输扭矩MRAM（STT-MRAM）产品和技术，包括：

•与顶级企业存储供应商的第一次重大设计胜利
由Everspin 40nm 256Mb STT-MRAM内存供电。这个设计将低延迟数据持久性的功能带到了公司的NVMe解决方案。通过本机使得数据持久化，
MRAM帮助该供应商实现了新的性能和存储水平容量和可靠性。

•NVMe over Fabric（NVMeoF）现场演示。这个演示具有通过高速以太网结构连接的两台服务器
一个nvNITRO™加速器，可以实现NVMe通信远程持久性内存位置，绕过系统CPU，效率更高。

•作为Xilinx联盟计划的一部分，Everspin将以此为特色，Xilinx FPGA支持MRAM产品解决方案。
•SMART Modular Technologies将与Everspin合作，使用256Mb展示他们的nvNITRO NVMe存储加速器，STT-MRAM实现了无与伦比的低延迟记录。

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Everspin推出最新产品STT-MRAM,有兴趣的朋友可以了解一下

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磁性随机存取内存(MRAM)将在今年达到一个新的里程碑。Everspin宣布打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，另外他们已经将这款高寿命、非易失性的内存芯片生产提上议程。Everspin的ST-MRAM能够提供持久的记忆能力，相较于普通的NAND闪存技术，它可以减少写入放大倍数并拥有更好的耐用性

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磁性随机存取内存(MRAM)将在今年达到一个新的里程碑。Everspin宣布打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，另外他们已经将这款高寿命、非易失性的内存芯片生产提上议程。Everspin的ST-MRAM能够提供持久的记忆能力，相较于普通的NAND闪存技术，它可以减少写入放大倍数并拥有更好的耐用性

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Everspin推出最新产品STT-MRAM,有兴趣的朋友可以了解一下

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Everspin最新的产品STT-MRAM，型号EMD3D256M是第一款批量生产的STT-MRAM设备，针对需要性能，持久性和耐用性的企业和计算应用。
规格书：

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PRODUCT OPTIONS
Package Speed Temp Rating Ordering Part #
78-BGA 667MHz Commercial          EMD3D256M08G1-150CBS1
78-BGA 667MHz Commercial          EMD3D256M08G1-150CBS1R
96-BGA 667MHz Commercial          EMD3D256M16G2-150CBS1
96-BGA 667MHz Commercial          EMD3D256M16G2-150CBS1R

DELAN1234567

本帖最后由 DELAN1234567 于 2018-9-4 16:52 编辑

在大多应用中，要记录的数据不一定很多，如果能做一些小容量，低价的产品，很快能普及

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DELAN1234567 发表于 2018-9-4 16:51
在大多应用中，要记录的数据不一定很多，如果能做一些小容量，低价的产品，很快能普及

目前最小的容量是512Kbit ，需要可以联系我司 QQ3161422826 手机13751192923

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Everspin最新产品技术STT-MRAM

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PRODUCT OPTIONS
Package       Speed       Temp Rating       Ordering Part #
78-BGA       667MHz       Commercial             EMD3D256M08G1-150CBS1
78-BGA       667MHz       Commercial             EMD3D256M08G1-150CBS1R
96-BGA       667MHz       Commercial             EMD3D256M16G2-150CBS1
96-BGA       667MHz       Commercial             EMD3D256M16G2-150CBS1R

英尚微电子 · 发表于2018-10-22 09:38

PRODUCT OPTIONS
Package       Speed       Temp Rating       Ordering Part #
78-BGA       667MHz       Commercial             EMD3D256M08G1-150CBS1
78-BGA       667MHz       Commercial             EMD3D256M08G1-150CBS1R
96-BGA       667MHz       Commercial             EMD3D256M16G2-150CBS1
96-BGA       667MHz       Commercial             EMD3D256M16G2-150CBS1R

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磁性随机存取内存(MRAM)将在今年达到一个新的里程碑。Everspin宣布打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，另外他们已经将这款高寿命、非易失性的内存芯片生产提上议程。Everspin的ST-MRAM能够提供持久的记忆能力，相较于普通的NAND闪存技术，它可以减少写入放大倍数并拥有更好的耐用性

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磁性随机存取内存(MRAM)将在今年达到一个新的里程碑。Everspin宣布打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，另外他们已经将这款高寿命、非易失性的内存芯片生产提上议程。Everspin的ST-MRAM能够提供持久的记忆能力，相较于普通的NAND闪存技术，它可以减少写入放大倍数并拥有更好的耐用性

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2018年8月6日,在圣克拉拉举行的半导体存储行业活动中的技术，CA，MRAM开发者日和闪存峰会。

离散和嵌入式MRAM全球领先的开发商和制造商Everspin在这些活动中展示最新产品STT-MRAM,

会议中心主席兼首席执行官Kevin Conley发表主题演讲

作为MRAM的领导者Everspin以题为“MRAM革命”作为展示主题，在MRAM技术方面，Everspin也在整个展览中占据突出地位，

Everspin的展台采用Everspin最新的旋转传输扭矩MRAM（STT-MRAM）产品和技术，包括：

•与顶级企业存储供应商的第一次重大设计胜利
由Everspin 40nm 256Mb STT-MRAM内存供电。这个设计将低延迟数据持久性的功能带到了公司的NVMe解决方案。通过本机使得数据持久化，
MRAM帮助该供应商实现了新的性能和存储水平容量和可靠性。

•NVMe over Fabric（NVMeoF）现场演示。这个演示具有通过高速以太网结构连接的两台服务器
一个nvNITRO™加速器，可以实现NVMe通信远程持久性内存位置，绕过系统CPU，效率更高。

•作为Xilinx联盟计划的一部分，Everspin将以此为特色，Xilinx FPGA支持MRAM产品解决方案。
•SMART Modular Technologies将与Everspin合作，使用256Mb展示他们的nvNITRO NVMe存储加速器，STT-MRAM实现了无与伦比的低延迟记录。

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