MOSFET

hyj1111122222

MOSFET [复制链接]

我想请问一下功率MOSFET的栅源击穿电压VGS是要在什么条件下能测试得到呢？

maychang

这是破坏性的测试。

maychang

我想请问一下功率MOSFET的栅源击穿电压VGS是要在什么条件下能测试得到呢？

我猜测你想说的是“最大允许栅源电压”，而不是“栅源击穿电压”。

chunyang

器件手册中该值是极限值，是根据统计原则在大量产品中做抽样破坏测试得到的，实际应用中只需看器件手册即可，除非你怀疑器件质量存在问题，栅源击穿电压明显与手册不符，那你直接加压测试即可，在回路中串个电阻做电源保护。

hyj1111122222

maychang 发表于 2018-5-14 16:25
我想请问一下功率MOSFET的栅源击穿电压VGS是要在什么条件下能测试得到呢？

我猜测你想说的是“最大允许 ...

对，是这个意思，就是在用SILVACO仿真VGS特性曲线的时候，是不是要在VDS=0的条件下加栅压来得到呢？

maychang

hyj1111122222 发表于 2018-5-16 15:48
对，是这个意思，就是在用SILVACO仿真VGS特性曲线的时候，是不是要在VDS=0的条件下加栅压来得到呢？

这几个数值要分清楚：
所谓栅源击穿电压，是指逐渐升高栅源之间电压，直到栅源之间击穿为止的电压最大值。击穿后MOS管已经损坏，不能使用。
手册中标注的Vgs，是在Absolute Maximum Ratings项下的参数，表示使用时允许的最大栅源之间电压，厂家保证栅源电压小于此值时MOS管不会损坏。如果栅源之间电压小于此值MOS管已经损坏，那是生产厂家的责任。