芯片制造工艺减少了电力消耗和封装尺寸

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芯片制造工艺减少了电力消耗和封装尺寸 [复制链接]

　Analog Devices公司（ADI）推出了一项结合高电压半导体工艺（供电电压最高达到30V）、亚微米CMOS工艺以及互补双极性工艺的半导体制造技术。这项制造技术被称为工业CMOS（或iCMOS）。这种制造工艺的应用目标是转换器、放大器、开关和其它工作在高电压的工厂自动化和过程控制领域的设备。
iCMOS模拟组件可以操作在电气噪声环境下而无需像其它CMOS技术一样配备额外的集成电路。这种技术的主要优点是可以实现组件与底板之间、组件相互之间的完全隔离，这样就可以允许高电压开关布置在紧靠传统5V设备的地方。
　　最先发表的iCMOS产品包括：集成了4个16-bit数/模转换器的单片AD5764，据报道其尺寸只有竞争对手产品的一半。13-bit 的AD732x 和 12到16-bit 的AD765x模/数转换器，这种转换器允许通过软件来选择很宽的输入电压，范围从 ±2.5 到 ±10 V。高精度的AD8661 运算放大器，它的特点是具有很宽的动态电压范围（从5V 到16 V），据说其封装尺寸仅相当于同类设备的三分之一。ADG12xx 高电压开关和 ADG14xx 多路复用器；开关支持 ±15 V 信号，开关电容极低；多路复用器则极大地降低了接通电阻。