maychang

easthewj 发表于 2020-4-27 14:42 maychang 发表于 2020-4-27 14:31 MOS管米勒效应，实际上是门极充电(或者放电)过程中，门极电压变化不大( ...

或许，22楼波形中的 “平台” 与此时IGBT承受反向电压有关？

easthewj

maychang 发表于 2020-4-28 16:43 先说25楼谈到的关断过程。 一、25楼说：“在下管IGBT导通的整个时间段，虽然IGBT管导通，但是电 ...

“这是不对的。半桥电路，无论哪个开关管，在关断之前的一小段时间，电流均不可能流过IGBT反并联的二极管。实际上，任一开关管导通持续时间内，后半段都是开关管导通，反并联二极管两端电压对二极管来说是反向。而且，这个 “后半段” 必定超过导通持续时间的一半(否则就不是直流电源向负载和LC滤波电路传输能量了)”

不是很理解你上面的这些话的意思。如果按照你的意思在后半段的时间，IGBT是流过电流的，那么当它关断的时候（驱动波形下降的时候），那它的Vce电压为什么不上升呢？

easthewj

maychang 发表于 2020-4-28 18:38 或许，22楼波形中的 “平台” 与此时IGBT承受反向电压有关？

实际上，我在测试过程中发现，如果不上强电测试（就是28楼的C1，C2上没有加电压），开通也是有平台的，关断是没有平台的。

maychang

easthewj 发表于 2020-4-28 19:36 实际上，我在测试过程中发现，如果不上强电测试（就是28楼的C1，C2上没有加电压），开通也是有平台的，关 ...

“如果不上强电测试（就是28楼的C1，C2上没有加电压），开通也是有平台的，关断是没有平台的。”

这不是和你22搂23楼波形以及叙述完全一致么？

既然C1C2上没有电压也是这个现像，那显然与米勒效应无关。米勒效应是管子有放大(而且必须是共发射极、共源极放大才会有此效应，也就是说输出与输入信号反相)才会产生的现像。

maychang

easthewj 发表于 2020-4-28 19:33 maychang 发表于 2020-4-28 16:43 先说25楼谈到的关断过程。 一、25楼说：“在下管IGBT导通的整个时 ...

这就是23楼波形。蓝色是驱动，绿色是IGBT集电极-发射极电压，对吧？

IGBT可不是门极电压下降，集电极电流立即下降，有个延迟时间的。

 

easthewj

maychang 发表于 2020-4-28 19:44 “如果不上强电测试（就是28楼的C1，C2上没有加电压），开通也是有平台的，关断是没有平台的。&rdqu ...

那可能像你说的，是有其它原因，不是米勒效应引起的。

easthewj

maychang 发表于 2020-4-28 19:47 这就是23楼波形。蓝色是驱动，绿色是IGBT集电极-发射极电压，对吧？ IGBT可不是门极电压下降，集电极 ...

是23楼的波形，但是不是你说的延时时间，延时时间没有这么长的。正常的在驱动波形下降到零之前，集电极电压已经完成上升过程了。

这个波形它的集电极电压上升的时间点，刚好是上管开通的时间，可以证明我的判断。我明天上传一个波形给你看，你一看就明白的。而且它的关断过程就是我25楼所描述的那样子。

maychang

easthewj 发表于 2020-4-28 19:57 那可能像你说的，是有其它原因，不是米勒效应引起的。

首帖我引的图(09)曲线，是厂家给出的datasheet中copy下来的。厂家必定做过测试。

各IGBT的datasheet中却没有这样的曲线(也许我没有找到)。想来IGBT情况比MOS更复杂。

easthewj

maychang 发表于 2020-4-28 20:07 首帖我引的图(09)曲线，是厂家给出的datasheet中copy下来的。厂家必定做过测试。 各IGBT的datasheet中 ...

我也发现了，IGBT的输入特性和MOS管类似，但是还是有点区别的！

easthewj

easthewj 发表于 2020-4-28 20:01 maychang 发表于 2020-4-28 19:47 这就是23楼波形。蓝色是驱动，绿色是IGBT集电极-发射极电压，对吧？ IG ...

绿色是下管的Vce电压，粉红色是上管的Vge，青色是下管的Vge。

从图中很明显可以看到下管的Vce电压上升是在上管驱动到来，上管开通的时候。

这个波形现象和我25楼的分析的是相吻合的。

 

easthewj

maychang 发表于 2020-4-28 20:07 首帖我引的图(09)曲线，是厂家给出的datasheet中copy下来的。厂家必定做过测试。 各IGBT的datasheet中 ...

我测试的这个IGBT datasheet提供了这样一条曲线。

maychang

easthewj 发表于 2020-4-29 08:34 我测试的这个IGBT datasheet提供了这样一条曲线。

我也找到了。这是IGW08T120说明书中门极电压和电荷曲线。

maychang

easthewj 发表于 2020-4-29 08:16 easthewj 发表于 2020-4-28 20:01 maychang 发表于 2020-4-28 19:47 这就是23楼波形。蓝色是驱动，绿色是 ...

“从图中很明显可以看到下管的Vce电压上升是在上管驱动到来，上管开通的时候”。

仔细看此波形，忽然想到：如果负载(包括电感、电容和电阻，总之两个IGBT联接处到C1C2联接处所有的元件)不是电感性，而是电容性加电阻性，就有可能出现这样的波形。

hotsauce1861

写的好详细啊，所以驱动晶体管加死区？

maychang

hotsauce1861 发表于 2020-5-30 07:57 写的好详细啊，所以驱动晶体管加死区？

米勒效应和开关电源中功率管导通的 “死区” 并没有直接关系。

当然，米勒效应会使开关电源中功率管电流上升沿和下降沿变缓，也就是加大了过渡状态持续时间，这往往需要较长时间的 “死区”。

hotsauce1861

maychang 发表于 2020-5-30 09:48 米勒效应和开关电源中功率管导通的 “死区” 并没有直接关系。 当然，米勒效应会使开关电源 ...

原来不是同一个东西奥

 

进击的小角色

请问，这个电容是如何计算出来的啊？十分感谢

maychang

进击的小角色 发表于 2020-10-19 08:36 请问，这个电容是如何计算出来的啊？十分感谢

根据输入电压和输入电流，可以计算出电容。这是根据电容定义而来的。公式下面给出。

maychang

进击的小角色 发表于 2020-10-19 08:36 请问，这个电容是如何计算出来的啊？十分感谢

电容定义：

由此得：

式中 i 为电流，dt 为时间微分，du 为电压的微分。式中右边均已知，C 即可求出。

 

LuJianchang

学习了，讲得通俗易懂