基于MOS管的电源极性防接反保护电路

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基于MOS管的电源极性防接反保护电路 [复制链接]

一般防接反电路都是在电路中串一个二极管，虽然简单，但压降较大，肖特基管平均压降有0.5V左右，在大功率驱动电路中，这个二极管的功耗就比较大了。

在下面这个电路中，当电源极性正确时，图中NMOS中的寄生二极管先导通，此时，MOS的S极对地电压约为0.7V（按硅管算），G极电压由于稳压管的作用被稳到10V，所以Vgs=10-0.7=9.3V大于NMOS的开启电压，于是NMOS导通，将寄生二极管短路，因此电流只经过NMOS，而不经过寄生二极管。图中电阻的选择为 （Vcc-Vz）/（2~3mA）。一般MOS管的导通电阻为几十m欧，也有的做到只有几m欧，很明显，用MOS代替肖特基管后，电源效率要好的多。若需要再进一步减小功耗，可将两只MOS管并联。当然，并非只有NMOS能做，PMOS也可以，只需将PMOS放到下图中 Vcc 的输入端即可。
当电源接反时，Vgs=0，MOS截止，寄生二极管反偏，电路得以保护。