过冲电流如何避免

zwb4835

过冲电流如何避免 [复制链接]

 

如图所示，在接通负载的瞬间会出现一个很大的过冲电流，如何避免这个过冲电流呢

zwb4835

应该是MOS管的输入电容引起的过冲

maychang

zwb4835 发表于 2017-7-19 17:10
应该是MOS管的输入电容引起的过冲

“应该是MOS管的输入电容引起的过冲”
不是。
你去掉C12试试看。

kiroking

如果只是不想单片机因为这个过冲电流误检，多检测几次就行，硬件怕击坏的话，器件的耐压耐流选择好就行

zwb4835

maychang 发表于 2017-7-19 18:13
“应该是MOS管的输入电容引起的过冲”
不是。
你去掉C12试试看。

C12影响不大，去掉也是一样有过冲

zwb4835

kiroking 发表于 2017-7-19 19:03
如果只是不想单片机因为这个过冲电流误检，多检测几次就行，硬件怕击坏的话，器件的耐压耐流选择好就行

我的负载是一个导通的极电集电流为50-1000mA的三极管，如果过冲电流过大则会烧坏三极管

gcxzhz

在r12上并联一个tvs 或者并联两个串联的二极管 钳位一下

zwb4835

gcxzhz 发表于 2017-7-19 20:13
在r12上并联一个tvs 或者并联两个串联的二极管 钳位一下

这样只是限制了P1点的电压，但过冲电流依然存在

仙猫

这是因在开关S1合上之前，运放处于倒向最高输出电压的一边，恢复到放大状态需要时间造成的。
可改下开关的位置试试：
因30V电压太高，用方案 ① 时可能需要做下嵌位（根据情况可能许将R11分成两个）；
方案 ② 简单些，但缺点是S1短路时FET管要承受最大功率，需算下可行性。

zwb4835

仙猫 发表于 2017-7-20 09:33
这是因在开关S1合上之前，运放处于倒向最高输出电压的一边，恢复到放大状态需要时间造成的。
可改下开关的 ...

但是我的负载只能是像我图中那样接入，接入方式不能变

second_chan

可以加热敏电阻！

zwb4835

已找到解决方法，如下图，欢迎拍砖

maychang

zwb4835 发表于 2017-7-20 16:58
已找到解决方法，如下图，欢迎拍砖

“已找到解决方法，如下图，欢迎拍砖”
这个电路，动作未免太慢了些。

zwb4835

maychang 发表于 2017-7-20 17:28
“已找到解决方法，如下图，欢迎拍砖”
这个电路，动作未免太慢了些。

那怎么才能更快呢

maychang

zwb4835 发表于 2017-7-20 17:30
那怎么才能更快呢

从12楼图R11右端向左看过去，这是一个积分电路，是不是？图中未标注C12容量，但可以肯定：C12容量越大，该电路动作越慢。
12楼图中，R10电阻值为1千欧。该电阻与MOS管输入电容(包括密勒电容)也构成近似积分电路(应该说是一阶低通)。显然，R10数值越大，该电路动作速度越慢。
以上是开关S1早已闭合多时，IC2A和MOS管线性工作的分析。

maychang

zwb4835 发表于 2017-7-20 17:30
那怎么才能更快呢

加入IC2B、D1、C1、R1、Q2，目的是开关S1未闭合时，IC2B反相输入端电位高于同相输入端电位，IC2B输出为高，通过D1为C1充电，Q2导通。Q2导通将MOS管G、S短路，故MOS管G极不会存储电荷。
但开关S1闭合后，MOS管漏极电位升高，IC2B翻转，D1截止，C1却仍然要通过R1对Q2发射结放电，使MOS管中电流不能迅速增加。这也是一种“慢”。

LeoMe

不用绕远路了，有种片子叫负载开关，基本上都带电流限制功能，有些限制阈值还是可调节的你这个其实还好，我之前做过一个电池供电的系统，系统里有个需要断电的模块里有200uf的电容，只要给这个模块通电，电池电压马上被电容的充电电流拉低，整个系统都会reset

zwb4835

maychang 发表于 2017-7-20 18:14
加入IC2B、D1、C1、R1、Q2，目的是开关S1未闭合时，IC2B反相输入端电位高于同相输入端电位，IC2B输出为高 ...

我仿真时R11R10均为0，C12取消，但过冲也是存在的，如果要使电路快起来，要采取什么措施呢

zwb4835

LeoMe 发表于 2017-7-21 08:53
不用绕远路了，有种片子叫负载开关，基本上都带电流限制功能，有些限制阈值还是可调节的你这个其实还好，我 ...

那这种片子应该贵吧，有推荐型号吗

maychang

zwb4835 发表于 2017-7-21 09:31
我仿真时R11R10均为0，C12取消，但过冲也是存在的，如果要使电路快起来，要采取什么措施呢

“我仿真时R11R10均为0，C12取消，但过冲也是存在的”
2楼你自己已经说过：“应该是MOS管的输入电容引起的过冲”，这是对的，即开关S1闭合之前MOS管DS之间电容已经充电到可能达到的最大值。但另有一个原因使得S1闭合时电流过冲，那就是开关S1闭合之前运放是处于饱和，而运放退出饱和是相当慢的(延迟可达数毫秒甚至更多)。