弱弱的请教下NMOS的导通电压

ppxxjh

弱弱的请教下NMOS的导通电压 [复制链接]

 

有块电路，大神帮看看MOS的导通电压？

低调的路人

“ 弱弱的请教下NMOS的导通电压”
答： 导通电压，我们称之为阈值电压，一般用Vth表示，在你提供的 第二幅图参数第四行里面有，上面写着最小2V，最大4V。

maychang

“有块电路，大神帮看看MOS的导通电压？”
导通电压，那不是在datasheet上面写得清清楚楚么？

dontium

它的导通电压怎么？

ppxxjh

知道了，谢谢各位的帮助！

maychang

ppxxjh 发表于 2017-5-10 14:12
知道了，谢谢各位的帮助！

知道导通电压还远远不够。
提醒你一句：你贴出那幅电原理图中错误不少，焊接完毕通电必放炮。

ppxxjh

电子基础弱弱的，大神能否指导下，刚入手，还不是很了解。

maychang

ppxxjh 发表于 2017-5-10 14:26
电子基础弱弱的，大神能否指导下，刚入手，还不是很了解。

看错了，把VCC看成240V了。
不过又有新的疑问：
C54C45两支电容，目的何在？
R56R58数值是否正确？

ppxxjh

maychang 发表于 2017-5-10 14:59
看错了，把VCC看成240V了。
不过又有新的疑问：
C54C45两支电容，目的何在？
R56R58数值是否正确？

我也是刚开始学习，之前的图纸。

ppxxjh

ppxxjh 发表于 2017-5-10 15:26
我也是刚开始学习，之前的图纸。

谢谢耐心指导！

userwjp

maychang 发表于 2017-5-10 14:59
看错了，把VCC看成240V了。
不过又有新的疑问：
C54C45两支电容，目的何在？
R56R58数值是否正确？

以下是我的个人感觉：
C54C45两支电容，目的何在？
-旁路电容。前级的PWM信号质量好的话其实没有也没关系。几分钱买个心理安慰，我有的时候也会这么做的。
R56R58数值是否正确？
-这个取决于开关速度吧。主要是用所需要的充电电流来决定这两个电阻的阻值的吧。

maychang

userwjp 发表于 2017-5-10 17:32
以下是我的个人感觉：
C54C45两支电容，目的何在？
-旁路电容。前级的PWM信号质量好的话其实没有也没关 ...

PWM是脉冲占空比变化的矩形波。既然是矩形波，脉冲前沿和后沿应该尽量陡直。
C54C45两支电容，会使脉冲前沿和后沿变得倾斜，不那么陡直。这会使半桥功率管的开关损耗加大，而损耗大通常是我们不希望得到的结果。

maychang

userwjp 发表于 2017-5-10 17:32
以下是我的个人感觉：
C54C45两支电容，目的何在？
-旁路电容。前级的PWM信号质量好的话其实没有也没关 ...

R56R58与功率MOS管输入电容构成低通滤波，使功率MOS管开通缓慢。功率MOS管的关断靠R54R57(串联二极管)，R54R57数值比R56R58小得多(几乎十分之一，不过我认为仍然太大)，换言之功率MOS管开通比关断慢得多。这相当奇怪。

ppxxjh

第一次发贴，还能得到大家的积极回应，谢谢！

userwjp

maychang 发表于 2017-5-10 17:45
R56R58与功率MOS管输入电容构成低通滤波，使功率MOS管开通缓慢。功率MOS管的关断靠R54R57(串联二极管)，R ...

关断的部分我还想请教一下，其实关断是靠R54和二极管的串联+和R56的并联，对吗。

userwjp

maychang 发表于 2017-5-10 17:40
PWM是脉冲占空比变化的矩形波。既然是矩形波，脉冲前沿和后沿应该尽量陡直。
C54C45两支电容，会使脉冲 ...

PWM信号的平缓会增加开关的损耗，这个是因为在开的过程中，MOS的导通电阻是缓慢增加的。对吗。

maychang

userwjp 发表于 2017-5-11 14:51
关断的部分我还想请教一下，其实关断是靠R54和二极管的串联+和R56的并联，对吗。

“关断是靠R54和二极管的串联+和R56的并联，对吗”
关断首先靠IR2101的HO引脚或者LO引脚输出低电平，关断速度受“R54和二极管的串联+和R56的并联”等效电阻以及IR2101输出引脚下降沿倾斜度控制。

maychang

userwjp 发表于 2017-5-11 14:53
PWM信号的平缓会增加开关的损耗，这个是因为在开的过程中，MOS的导通电阻是缓慢增加的。对吗。

“PWM信号的平缓会增加开关的损耗，这个是因为在开的过程中，MOS的导通电阻是缓慢增加的。对吗”
是的。MOS管D、S之间电阻为零或者无穷大，损耗功率均为零，D、S之间电阻为中间值损耗功率大。所以从减少损耗角度出发，通常希望这段时间越短越好。

不过，MOS管“开”的过程中，D、S之间电阻是缓慢减少而不是缓慢增加，你刚好说反了。

userwjp

maychang 发表于 2017-5-11 15:13
“PWM信号的平缓会增加开关的损耗，这个是因为在开的过程中，MOS的导通电阻是缓慢增加的。对吗”
是的。 ...

哈哈~的确说反了。我还是需要再仔细一点啊。
嗯~我明白了，非常感谢。

ppxxjh

maychang 发表于 2017-5-10 17:45
R56R58与功率MOS管输入电容构成低通滤波，使功率MOS管开通缓慢。功率MOS管的关断靠R54R57(串联二极管)，R ...

“R56、R58与功率MOS管输入电容构成低通滤波”，输入电容是指哪个？是什么原理使MOS管开通缓慢？