网易多口USB5V6.8A充电器拆解

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先来讲下方案结构：
方案是光耦反馈。前面的电源芯片采用类似OB2263的芯片，具体哪家不知道，但基本上国内做电源芯片的都有这种芯片。高压MOS采用的是OSF12N60C,是深圳市和芯电子的MOS。次级同步整流芯片没看出来是哪家。同步整流MOS是DFN5*6封装，用的是威兆半导体的VS40200AP。次级同步整流MOS放在正端。多一个绕组来给芯片供电。原理图如下！

芯片的脚位跟MP6902差不多！MP6902的工作电压要大于8V，所以5Ｖ不能直接供电。

。

带载1A时，初级VDS和次级同步整流驱动波形。此同步整流IC支持CCM模式，所以gate电压追随电流减小而降低，是-Ron*Iods保持在-70mV。当到-Ron*Iods降低到-30mV时关断次级MOS。


1图是带载6.8A时，初级VDs和次级同步整流驱动波形。从波形上来看，次级MOS关断比较好，超前关断的时间比较短。
带载6.8A时效率在88%。带载6.8A常温老化3小时，外壳温度70度。

输如电压120V时初级VDS和次级gate波形

输入230V时初级VDS和次级gate波形。
在120V电源工作在CCM模式，但次级同步整流MOS在初级MOS导通时间关断，提前的时间比较短。效率也还可以在87%+。
待机功耗略高，在230V时超过0.1W。电源IC没有高压启动，前面还有一个0.22uF的X电容，加两个2.2M的泄放电阻。滤波有X电容和两个共模磁环组成。

板子做工还是不懂的。初次级间的安全距离足够。不够的开槽加挡墙了。 个人觉得这款充电器做的还是不错的。效率温升都还好！RCD用的是A7的慢管，VDS震荡还比较多，变压器漏感提高降低，这样可进一步提高效率。次级的MOS温升没测，但做6.8A用DFN5*6的封装没在老化时没出现异常。