PowerAnts

瞬时电流比较大的话, 至少要7V, 保险起见, 至少用9V, 因为输出特性图没标温度, 默认是25度的

平漂流

maychang 发表于 2017-4-25 22:57
那IRF540手册上面的参数Vgs(th)的意义是什么呢？

前一个测试条件的意思是漏极与门极联接左一起，后一 ...

意思是说MOS管开通时，Vgs的最小值为Vgs(th)吗？

平漂流

PowerAnts 发表于 2017-4-25 23:06
你先看懂datasheet里的这个图, 5V的VGS, ID=10A的话, VDS大约是1.6V, 瞬时功豪大约16W

有点不明白，MOS管的功率达到了16W，有可能会被烧坏？

maychang

平漂流 发表于 2017-4-25 23:21
意思是说MOS管开通时，Vgs的最小值为Vgs(th)吗？

“意思是说MOS管开通时，Vgs的最小值为Vgs(th)吗？”
意思是说，MOS管漏极电流达到250uA时的门极电压，测量出来这个门极电压，就叫做Vgs(th)。此测量出来的电压值若是小于2V，为不合格，若是大于4V，也是不合格。

PowerAnts

平漂流 发表于 2017-4-25 23:23
有点不明白，MOS管的功率达到了16W，有可能会被烧坏？

瞬时功耗会不会烧管子, 要看瞬时热阻. 与持续功耗要看结到环境的热阻相对应. 瞬态热阻实际上衡量的是沟道的热容积所决定的瞬态温升, 跟散热器无关, datasheet里有图表参考.

平漂流

maychang 发表于 2017-4-25 23:29
“意思是说MOS管开通时，Vgs的最小值为Vgs(th)吗？”
意思是说，MOS管漏极电流达到250uA时的门极电压， ...

所以这个就是用来判断MOS管是好是坏？

maychang

平漂流 发表于 2017-4-25 23:23
有点不明白，MOS管的功率达到了16W，有可能会被烧坏？

对IRF540这种封装的管子来说，如果未加散热器，功耗达到16W且持续时间达到十多秒以上，估计就要烧坏。
PowerAnts的意思，是驱动电压达到9V以上，功耗就可以下降一半或者更多。减少发热是任何一位工程师都需要考虑的。

平漂流

PowerAnts 发表于 2017-4-25 23:19
瞬时电流比较大的话, 至少要7V, 保险起见, 至少用9V, 因为输出特性图没标温度, 默认是25度的

ID比较大的时候，VGS只要要7V甚至9V，才能使得MOS管的瞬时功耗小？

平漂流

maychang 发表于 2017-4-25 23:40
对IRF540这种封装的管子来说，如果未加散热器，功耗达到16W且持续时间达到十多秒以上，估计就要烧坏。
P ...

懂了。

maychang

平漂流 发表于 2017-4-25 23:37
所以这个就是用来判断MOS管是好是坏？

不能从一项参数判断MOS是好是坏。判断MOS好坏还有很多其它参数都需要满足，其中有任何一项不满足MOS就是不合格。

maychang

平漂流 发表于 2017-4-25 23:41
ID比较大的时候，VGS只要要7V甚至9V，才能使得MOS管的瞬时功耗小？

VGS只要要7V甚至9V，才能使得MOS管的瞬时功耗小？
不是“只要”，是必须达到9V以上。

注意厂家给出的测试条件，是10V。

平漂流

maychang 发表于 2017-4-25 23:53
VGS只要要7V甚至9V，才能使得MOS管的瞬时功耗小？
不是“只要”，是必须达到9V以上。

注意厂家给出的 ...

想请教一下有关如何看手册的方面的东西，“Electrical Characteristics”一般对我们使用者来说，没有什么意义吧？

rjqsd

1. MOSFET是电压驱动型，门极有个高于Vgs(th)的电平就可以开通。

PowerAnts

电气特性之于器件，好比口味之于食物，都非常有意义

rjqsd

Vgs(th)是G极相对于S极的门槛电压。楼主问，为什么不能用一个电平代替，其实是没有弄清楚门极这个电压的建立过程，这需要看一下MOSFET的模型。MOSFET并不是理想的，它的各个极之间是有电容的，驱动电路需要给这个电容充电：最终充到多少电压，会影响Rdson(导通时D S之间的一个等效电阻) 导通过程中主电路电流都流过这个电阻，电阻越大，损耗就越大，这个叫通态损耗；驱动电路将G极从0推到最终电平的，需要一定时间(相当于给GS之间的电容充电)，驱动电流越大，这个时间越短。为什么要说这个时间，因为这段时间MOSFET的DS极间的电压由最大变成了最小，这个过程如果流过电流，就会产生损耗，这个叫暂态损耗。

rjqsd

为什么不能用电平，你可以结合我上面的描述自己思考一下，看看能不能有点眉目。

rjqsd

还需要指出一点：损耗既是热。MOSFET本质还是半导体，半导体有结温这个问题，如果MOSFET的温度超过结温，就会坏掉，虽然不一定坏，但超过结温就不在厂家标的适用范围了。MOSFET坏，往往还有另一个原因，DS极的电压超过了标称电压击穿。

elvike

楼主没弄懂主体电路-全桥逆变工作原理，你跟他讨论外围电路的设计是行不通的。

maychang

平漂流 发表于 2017-4-26 08:41
想请教一下有关如何看手册的方面的东西，“Electrical Characteristics”一般对我们使用者来说，没有什么 ...

对我们使用者来说，用MOS管全靠“Absolute Maximam Ratings”和“Electrical Characteristics”。前者是不能超过的最大允许值，超过管子即可能损坏。后者是电气特性，设计时，后一部分提供的各种参数是你计算的依据。

maychang

平漂流 发表于 2017-4-26 08:41
想请教一下有关如何看手册的方面的东西，“Electrical Characteristics”一般对我们使用者来说，没有什么 ...

除上述两部分以外，datasheet中给出的各种曲线也很重要。有时某些特性很慢用一个数字来表达，往往需要用一台曲线甚至很多条曲线(曲线族)来表达。例如PowerAnts在18楼贴出的曲线族就是一个例子。