maychang

rjqsd 发表于 2017-4-26 09:26
还需要指出一点：损耗既是热。MOSFET本质还是半导体，半导体有结温这个问题，如果MOSFET的温度超过结温，就 ...

“Absolute Maximam Ratings”中任一项均不得超过，无论哪一项超过了，管子都有损坏的可能。

平漂流

rjqsd 发表于 2017-4-26 09:19
Vgs(th)是G极相对于S极的门槛电压。楼主问，为什么不能用一个电平代替，其实是没有弄清楚门极这个电压的建 ...

就是说驱动电路要与MOS管的D,S构成一个回路。通过对DS之间的电容充放电，来控制MOS管的开通关断，对吗？

平漂流

maychang 发表于 2017-4-26 10:16
对我们使用者来说，用MOS管全靠“Absolute Maximam Ratings”和“Electrical Characteristics”。前者是 ...

我们调试电路板的时候，对比Electrical Characteristics所给出的条件，然后根据自己设计的电路的参数，二者进行对比计算，推测出理论上应该输出值，然后对其他的器件进行选型，对吗？

maychang

平漂流 发表于 2017-4-26 10:54
我们调试电路板的时候，对比Electrical Characteristics所给出的条件，然后根据自己设计的电路的参数，二 ...

不很明白你这句话。
“调试电路板”时，元器件已经确定，工作状态也已经确定，并且焊接完毕，操作者只要判断是否有错误，错误在何处。此时元器件参数已经用不到，根据设计者给出的“调试”要求做就是了。
Electrical Characteristics给出的参数，是设计阶段所需要的，设计完成就不再需要了。

平漂流

maychang 发表于 2017-4-26 11:14
不很明白你这句话。
“调试电路板”时，元器件已经确定，工作状态也已经确定，并且焊接完毕，操作者只要 ...

明白了。谢谢！

平漂流

rjqsd 发表于 2017-4-26 09:00
1. MOSFET是电压驱动型，门极有个高于Vgs(th)的电平就可以开通。

MOS管是电压驱动型，可是为什么我看到文献里面都说到“控制信号的电流驱动能力很弱，不足以驱动MOS管开通关断”。这让我有点费解。

rjqsd

平漂流 发表于 2017-4-26 10:46
就是说驱动电路要与MOS管的D,S构成一个回路。通过对DS之间的电容充放电，来控制MOS管的开通关断，对吗？

对，可以这样理解

rjqsd

平漂流 发表于 2017-4-26 14:46
MOS管是电压驱动型，可是为什么我看到文献里面都说到“控制信号的电流驱动能力很弱，不足以驱动MOS管开通 ...

G极电压的建立是通过给电容充电建立的啊，这个电流主要跟MOSFET寄生电容和开关频率有关。很多控制芯片的输出电流是有限制的，比方说DSP很多都限制10mA，这个电流太小，是无法驱动MOSFET按设计的频率开通和关断的。

mayb511

上管的g電壓是對他S極的，加電平轉換要上下管分開加，麻煩