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一粒金砂(中级)

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由5G WIFI模块中的PA引出的一系列问题 [复制链接]

大家好,初次发帖,望解惑。谢谢!    最近用一个5G WIFI模块,在5180到5885MHz的频段内分了三个段对应三个PA,可是感觉不是很好,单模块一致性不好不说,上到板子上,调匹配的话无法同时满足三个段的性能,最后只能折中让那么一两个点合格但不是最优。我想问的很多
    1.最终输出10dBm,IC里一系列信号下来通过PA前功率会是多大呢?
    2.集成在IC里的PA是由晶体管构成还是MOS管?只有一级放大吗?
    3.有想找一种5G-6G的MOS管模型自己试着学一下,但是找不着,那他们都是用什么来设计的呢?
    4.WIFI内置PA,手机外置PA这种功率相对小的都使用什么模型设计的集成电路?那基站PA、医用PA这些都是用运放和大功率MOS构成吗?
    5.三级管、场效应管、运放,在基站的功放中,场效应管用的多还是运放呢?
    不好意思知道的太少,可能问的基本的都有问题,希望大家帮我理一理,让我不再这么糊涂,谢谢!
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这个有什么用 我手机都跟不上 这个速度   详情 回复 发表于 2017-2-9 16:56
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前级IC的输出功率需要查器件手册,不同型号会有不同。IC内部PA都是由MOS管构成,现在CMOS工艺是主流,双极晶体管工艺几乎没有在生产了。至于说有多少级放大,这个你得拿到IC内电路,肯定不止一级,但其实你根本不必关心这个,看手册知道输出参数就可以了。高频集成电路有专门的EDA软件,如果你不是半导体行业的完全不必关心,也不存在什么“模型”,理论上跟宏观电路没有质的差别,只是尽量用有源器件代替无源器件并尽量避免使用电感和电容。不论是手机还是基站的PA,现在都是用CMOS工艺制成。
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chunyang 发表于 2016-12-8 23:13
前级IC的输出功率需要查器件手册,不同型号会有不同。IC内部PA都是由MOS管构成,现在CMOS工艺是主流,双极 ...

感谢。若现在的射频功放都是由半导体行业设计好的,那除去那些大功率功放,现在做PA的都是直接将集成好的IC拿来加上自己的匹配或外围直接用吗?另:我找不到5-6G频带的场效应管,是因为没有、只有集成好的运放那些?还是我找的方式不对?
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现在的PA都是集成的,这是技术进步和成本控制的必然结果。分立的微波段场效应管现在已经很难买了,而集成的也不叫“运放”,虽然运放也有高速和大功率输出的,但运放的用途和PA是两码事,内电路有很大差别。  详情 回复 发表于 2016-12-9 00:06
 
 
 

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haowen930 发表于 2016-12-8 23:31
感谢。若现在的射频功放都是由半导体行业设计好的,那除去那些大功率功放,现在做PA的都是直接将集成好的 ...

现在的PA都是集成的,这是技术进步和成本控制的必然结果。分立的微波段场效应管现在已经很难买了,而集成的也不叫“运放”,虽然运放也有高速和大功率输出的,但运放的用途和PA是两码事,内电路有很大差别。
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chunyang 发表于 2016-12-9 00:06
现在的PA都是集成的,这是技术进步和成本控制的必然结果。分立的微波段场效应管现在已经很难买了,而集成 ...

谢谢。问一下S参数,回波损耗S11=-20lg|S11|,插入损耗S21=-20lg|S21|,我想的是作为系数的S11和S21都大于0小于1,那换算成dB都大于0了?RL越大越好,那ADS仿真中的S11(dB)经常看都是负值多少去了,越小越好?    IL无源时是插损,越小越好,有源时又是功率增益,越大越好?  不好意思,能告诉我哪儿理解错了吗?
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这个有什么用 我手机都跟不上 这个速度
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