如何充分利用MSP430单片机的FLASH(附源码说明)

铅笔盒 · 发表于2016-10-31 15:46

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优点：

能够充分利用MSP430单片机的自带FLASH储存空间，就可避免外扩EEROM芯片了，一是节约成本，二是少了外扩EEROM的读写代码，三是同样可以储存用户数据，比如A/D转换后的数据。当然，如果是常量就不必了，直接将常量申明为“CONST”变量即可，这个就不多说了，懂的。

具体方法：

先把完整的程序编好(不包括FLASH的)，然后编译（我用的是IAR,CCE没试过），进行在线仿真（软仿真硬仿真均可），在菜单栏选择"View/Memory",然后就可以看到FLASH 各个地址的数据了，记下FLASH 还没有被程序占用的空间的地址，然后将FLASH的程序加到你的主程序里，再编译，检验你记下的地址是否被程序占用，如果占用就选择一个新的地址就可以了。然后就可以向FLASH里写数据了。

注意事项：

不要向有程序代码的空间写数据，那样会导致程序运行不正常；

写数据之前要先擦除；

不要向0段FLASH里写数据，那里面有你程序中的中断向量；

最好选择每段的起始地址作为数据储存的首地址；

总结：

这种方法不需要扩充外存储器，可以降低系统的复杂度和系统功耗。

我也不知道这种方法实用不实用，既然有这种方法，我就发上来了，分享一下^_^。

铅笔盒 · 发表于2016-10-31 15:46

源代码：

// 注意时钟源的选择，flash_clk:500k(官方资料是250K—475K)
//**********************************************************************************
#include <MSP430x16x.h>
#include"FLASH.H"
//addr:FLASH的一个段首地址， value:数组名 count:要储存的数据个数
//把FLASH地址、数组名和要存储的数据的个数赋给下面的函数，就可以写入了
//**********************************************************************************
void write_flash_char (unsigned int addr, char *array,int count) //写 char型数组
{
char *Flash_ptr; // Flash pointer
int i;
Flash_ptr = (char *)addr; // Initialize Flash pointer
FCTL1 = FWKEY + ERASE; // Set Erase bit
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
*Flash_ptr = 0; // Dummy write to erase Flash segment
FCTL1 = FWKEY + WRT; // Set WRT bit for write operation
for (i=0; i<count; i++)
{
*Flash_ptr++ = array[I]; // Write value to flash
}
FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit
FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Set LOCK bit
}
//**********************************************************************************
void write_flash_int (unsigned int addr, int *array,int count) //addr为段首地址，写 int型数组
{
int *Flash_ptr; // Flash pointer
int i;
Flash_ptr = (int *)addr; // Initialize Flash pointer
FCTL1 = FWKEY + ERASE; // Set Erase bit
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
*Flash_ptr = 0; // Dummy write to erase Flash segment
FCTL1 = FWKEY + WRT; // Set WRT bit for write operation
for (i=0; i<count; i++)
{
*Flash_ptr++ = array[I]; // Write value to flash
}
FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit
FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Set LOCK bit
}
//**********************************************************************************
char read_flash_char0(unsigned int addr) //读单字节
{ char *address;
address=(char*)addr;
return *address;
}
//**********************************************************************************
//把FLASH地址、数组名和要读取的数据的个数赋给下面的函数，就可以读入了
void read_flash_char1(unsigned int addr,char *array,int count) //读一串数据
{ char *address=(char *)addr;
for(int i=0;i<count;i++)
{
array[I]=*address++;
}
}
//**********************************************************************************
int read_flash_int0(unsigned int addr) //偶地址,读一个字
{
int *address=(int *)addr;
return *address;
}
//**********************************************************************************
void read_flash_int1(unsigned int addr,int *array, int count) //读整形数组
{
int *address=(int *)addr;
for(int i=0;i<count;i++)
{
array[I]=*address++;
}
}
//**********************************************************************************
void init_flash(void)
{
FCTL2 = FWKEY + +FSSEL1+FSSEL0 + FN0; // (DCO)SMCLK/2 for Flash Timing Generator
}

复制代码

phwj2006 · 发表于2016-10-31 16:38

430 里面有存储数据的位置的啊。info a，b，c 专门做e2 存储用的。

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