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mosfet陡化前沿超调量问题 [复制链接]


原理图大致如下

仿真结果如图

实际测量各部分波形大致如图

根据设计要求,产生的陡前沿方波tr小于60ns,ts(10%Uo-Uo±0.03Uo)小于200ns
实际产生的方波会有一个好超调的毛刺,这个毛刺严重影响Ts,虽然可以根据增加最后一级mosfet负载电阻来减小超调从而减小ts,但是同时会增大tr。由于最终负载电容在1-100pF,负载100pF时想保持Tr小于60ns还是不太容易。虽然仿真可以达到,但是实物我之前试了几次都不太成功。
图中接入1pF和10pF两种电容,在负载电阻为900欧左右时可以同时满足Tr<60ns。但是在两种电容值下,Ts并不同时<200ns。
所以
问题1:我在想是不是必须得给每种电容 (1pF 10pF 100pF)都单独用一个mosfet来产生最后的陡化前沿方波,而不是像之前用一个mosfet同时带1pF 和10pF。然后用继电器来切换电路(之前为用继电器切换电容)。想听听大家意见这个想法合理吗
问题2:除去改变负载电阻之外还有什么可以调节tr 以及ts(超调)的方法?或者这个超调是如何产生的?
问题3:图中绿色的波形是我根据一个方波变正弦波的电路改变过来的。后来考虑到下降沿还是太快,所以想将绿色波形改变为类似于梯形的波形,但是找来找去都没看到有类似的,请教各位大神该如何去做。

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要上升时间短,减小R13。因为MOS管漏极处电压上升全靠R13上拉实现,而MOS管漏极对门极对源极都存在分布电容。  详情 回复 发表于 2016-8-31 19:46
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清把示波器屏幕上四条线与电原理图中测试点联系起来。否则无法知道某波形是哪一点的波形。
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黄色:V1方波波形(输入) 绿色:经放大器整形后的输出波形(R13左边) 蓝色:Q2漏级输出电压,探针6电压,与图二仿真结果类似。 红色:经电阻R12转换的脉冲波形  详情 回复 发表于 2016-8-31 17:46
 
 

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maychang 发表于 2016-8-31 16:08
清把示波器屏幕上四条线与电原理图中测试点联系起来。否则无法知道某波形是哪一点的波形。

黄色:V1方波波形(输入)
绿色:经放大器整形后的输出波形(R13左边)
蓝色:Q2漏级输出电压,探针6电压,与图二仿真结果类似。
红色:经电阻R12转换的脉冲波形
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看不出四条波形有什么不正常之处。 V1和V2用两个独立信号源,目的是什么?  详情 回复 发表于 2016-8-31 17:56
 
 
 
 

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度假的乞丐 发表于 2016-8-31 17:46
黄色:V1方波波形(输入)
绿色:经放大器整形后的输出波形(R13左边)
蓝色:Q2漏级输出电压,探针6电 ...

看不出四条波形有什么不正常之处。
V1和V2用两个独立信号源,目的是什么?
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V1 V2动作时间有一定延迟,大概在半个周期,目的是为了把绿色波形“切”为蓝色波形。因为需要一个陡化前沿和一个缓慢下降的后沿。 目前四条波形形状是没什么问题。但是陡化前沿并不满足Ts  详情 回复 发表于 2016-8-31 18:24
 
 
 
 

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maychang 发表于 2016-8-31 17:56
看不出四条波形有什么不正常之处。
V1和V2用两个独立信号源,目的是什么?

V1 V2动作时间有一定延迟,大概在半个周期,目的是为了把绿色波形“切”为蓝色波形。因为需要一个陡化前沿和一个缓慢下降的后沿。
目前四条波形形状是没什么问题。但是陡化前沿并不满足Ts<200ns的要求。原因是会有一个超调影响其达到稳定的时间。Tr<60ns相对来说比较容易达到,r13减小,tr也会缩短,然而这样会增大超调,使ts增大。产生超调的原因是来自前面的放大器部分,但是具体为什么我并不是很理解,所以前来求助。另外就是除去调节r13的大小还有别的方式可以优化陡化前沿吗?
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由首帖和后续各帖,我理解Tr是脉冲上升时间,但不知道Ts是指什么,猜测Ts(10%Uo-Uo±0.03Uo)是指达到稳定时间。 另,tr和Tr最好不混用。  详情 回复 发表于 2016-8-31 18:33
 
 
 
 

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度假的乞丐 发表于 2016-8-31 18:24
V1 V2动作时间有一定延迟,大概在半个周期,目的是为了把绿色波形“切”为蓝色波形。因为需要一个陡化前 ...

由首帖和后续各帖,我理解Tr是脉冲上升时间,但不知道Ts是指什么,猜测Ts(10%Uo-Uo±0.03Uo)是指达到稳定时间。
另,tr和Tr最好不混用。
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啊是的是的! Ts是10%Uo-Uo±0.03Uo 我我下次注意用Tr 和Ts  详情 回复 发表于 2016-8-31 18:42
 
 
 
 

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maychang 发表于 2016-8-31 18:33
由首帖和后续各帖,我理解Tr是脉冲上升时间,但不知道Ts是指什么,猜测Ts(10%Uo-Uo±0.03Uo)是指达到稳 ...

啊是的是的! Ts是10%Uo-Uo±0.03Uo
我我下次注意用Tr 和Ts
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要上升时间短,减小R13。因为MOS管漏极处电压上升全靠R13上拉实现,而MOS管漏极对门极对源极都存在分布电容。  详情 回复 发表于 2016-8-31 19:46
 
 
 
 

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度假的乞丐 发表于 2016-8-31 18:42
啊是的是的! Ts是10%Uo-Uo±0.03Uo
我我下次注意用Tr 和Ts

要上升时间短,减小R13。因为MOS管漏极处电压上升全靠R13上拉实现,而MOS管漏极对门极对源极都存在分布电容。
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