mosfet零电压开通毛刺问题

度假的乞丐

mosfet零电压开通毛刺问题 [复制链接]

图1为经过放大器产生的波形

图2为利用mosfet截取出的快上升沿的波形

mosfet电路如图，
mosfet平时为导通状态。
小弟求助各位大神，图二中的毛刺是mosfet导通时产生的，有没有什么办法可以消除这个毛刺啊？
因为我后面还要对一个电容充电，这个毛刺影响非常大。
真心求助各位大神，如果解决有酬谢！！

maychang

楼主的这个毛刺是仿真出来的。到制成电路板焊接完成后，很可能这个毛刺和仿真时完全不一样。
这种毛刺，是电路中存在分布电容和分布电感所产生，而实际电路的分布电容和分布电感可能与仿真时差别很大。

度假的乞丐

maychang 发表于 2016-7-31 20:35
楼主的这个毛刺是仿真出来的。到制成电路板焊接完成后，很可能这个毛刺和仿真时完全不一样。
这种毛刺，是 ...

哦~ 我导师也说让我先搭电路出来在调试，只是我一直觉得这个问题不解决心里好难受！
多谢你的回复啦！

maychang

度假的乞丐 发表于 2016-8-1 00:32
哦~ 我导师也说让我先搭电路出来在调试，只是我一直觉得这个问题不解决心里好难受！
多谢你的回复啦！

你的仿真图中电容C7仅1pF。
不要说MOS管极间电容，就是示波器探头的输入电容也比1pF大若干倍。探头接上或者撤下，电路的工作会受很大影响。

dontium

不能依赖仿真。体仿真有时候可以对电路设计帮助很大，有时候会产生误导。

zhoui

会不会是2N7002的RDS偏大造成毛刺?

whuer

最不喜欢 仿真党

电路不复杂  就做个出来看效果

度假的乞丐

maychang 发表于 2016-8-1 10:33
你的仿真图中电容C7仅1pF。
不要说MOS管极间电容，就是示波器探头的输入电容也比1pF大若干倍。探头接上 ...

这也是我头疼的地方，我这个题目就是要对1-100pF的电容充电产生一个脉冲电流，并且要求加在电容上电压的上升沿要小于60ns.如果电容较大的话就不能保证方波的上升沿够快了。

度假的乞丐

dontium 发表于 2016-8-1 10:34
不能依赖仿真。体仿真有时候可以对电路设计帮助很大，有时候会产生误导。

恩！ 谢谢回复！  我就是想不通这个毛刺的来源很头痛。

度假的乞丐

zhoui 发表于 2016-8-1 14:02
会不会是2N7002的RDS偏大造成毛刺?

问题是Vd=0，为什么门极电压会引Vd的变化呢？  小白比较苦恼。。。