EEPROM数据储存

cl17726

EEPROM数据储存 [复制链接]

因为EEPROM每个Bit的寿命都是独立的,所以我设想一种这样的写入方式,增加可靠性,但是并没延长寿命.

比如我现在要写0x18,二进制就是0001 1000,那么我写到8个Byte或者16个Byte里面,如写成0x00,0x00,0x00,0xFF,0xFF,0x00,0x00,0x00,然后在读取时候,发现有数值不为0x00或者0xff就丢弃这一块,用下一块来做记录,用EEPROM最后一个Byte记录目前在写哪个块.


还有现在消费品SSD有一种叫MLC的SLC模式,据说就是把MLC作为只能记录两种状态的情况,如11 00,不存在10,01,11,00四种情况,到全盘写满后或者空闲再把以前偷懒的回写成MLC模式,他这样有什么好处,能提速?消费SSD数据寿命我可不担心.

maychang

别的事情暂且不论，这样存储未免太浪费存储容量。原本一个字节数据现在占用了16个字节。

lyfly_away

和校验， 异或校验

xuyiyi

还是采用对大数据, 先压缩的方法靠谱些~~~

白丁

因为EEPROM每个Bit的寿命都是独立的,所以我设想一种这样的写入方式,增加可靠性,但是并没延长寿命.

比如我现在要写0x18,二进制就是0001 1000,那么我写到8个Byte或者16个Byte里面,如写成0x00,0x00,0x00,0xFF,0xFF,0x00,0x00,0x00,然后在读取时候,发现有数值不为0x00或者0xff就丢弃这一块,用下一块来做记录,用EEPROM最后一个Byte记录目前在写哪个块.

以上你的想法虽然在读取的时候判断块是否完好，但是只是对数据进行了简单校验，没有进行纠错，再者你的方法太浪费空间，对有写入速度要求的场合也是个考验，相同容量的eeprom存储的数据量更小。可以考虑一下使用raid，具体参考一下这篇帖子https://bbs.eeworld.com.cn/forum ... 0&page=1#pid1947612，既可以做到容量损失不是太大，又能够对损坏的数据进行恢复，实现起来也不是很麻烦

还有现在消费品SSD有一种叫MLC的SLC模式,据说就是把MLC作为只能记录两种状态的情况,如11 00,不存在10,01,11,00四种情况,到全盘写满后或者空闲再把以前偷懒的回写成MLC模式,他这样有什么好处,能提速?消费SSD数据寿命我可不担心.

你的不是eeprom吗？怎么扯上ssd了，ssd使用的是nand flash，nand flash分为三种，SLC、MLC、TLC，三者价格依次递减，稳定性也递减、速度也递减，寿命也依次递减（SLC 10w，MLC 5000、TLC 1000左右）MLC类型的nandflash中page 分为group A和group B，其中group A就是你说的SLC page ，group B是MLC page，SLC page写入速度快（写入速度约为MLC page 的4、5倍吧），也更稳定。
如果不研究ssd还是不要深究为什么先写SLC，再写回MLC了
关于闪存基础可以看看这篇帖子https://bbs.eeworld.com.cn/thread-480297-1-1.html
对于ssd的寿命，购买大品牌的ssd完全没有必要担心，一般都是质保三年，intel的质保五年，购买时尽量购买MLC的，三星的ssd TLC比较多。完全使用SLC的ssd估计市面上是没有，有的话价格也会非常昂贵。可以看下这篇https://bbs.eeworld.com.cn/thread-480277-1-1.html