mos管的选型

dlcnight

mos管的选型 [复制链接]

    现在有个项目需要用到PMOS管做电源的开关控制，主要是按下按键pmos导通，再次按下关断。电源电压应该在12v左右，电流1.5A左右，还应留有适当余量。主要考虑pmos管工作时候的导通损耗（开关频率很低），mos管长期导通时的温升应该如何去计算呢？有没有合适的PMOS管推荐？    图片是IRLML6402 PMOS管参数，从电压电流上看是满足的，唯一不确定的是温度问题。

chunyang

温度根据导通内阻和电流计算，故而想发热低，应重点查导通内阻参数，注意载流和耐压能力满足即可。SI2301可满足楼主需求，而且该管子很便宜。

dlcnight

chunyang 发表于 2016-1-21 16:40
温度根据导通内阻和电流计算，故而想发热低，应重点查导通内阻参数，注意载流和耐压能力满足即可。SI2301可 ...

谢谢。导通内阻是和结温有关系的一个量，一般结温越高导通内阻越大。并且怎么根据导通时的热功率来计算管子温度呢？

dlcnight

chunyang 发表于 2016-1-21 16:40
温度根据导通内阻和电流计算，故而想发热低，应重点查导通内阻参数，注意载流和耐压能力满足即可。SI2301可 ...

看到了数据手册里面的一个结温和导通电阻的一个图，不太明白。
手册最开始写的导通电阻很低，0.1-0.2ohm，在这个图里面为什么就这么高了呢

chunyang

dlcnight 发表于 2016-1-21 16:51
谢谢。导通内阻是和结温有关系的一个量，一般结温越高导通内阻越大。并且怎么根据导通时的热功率来计算管 ...

导通内阻跟温度正相关，手册里会给出曲线或极值，按极值计算即可（这属于留取余量）。管子的温度计算跟散热条件相关，工程上无需计算，因为你要计算就必须知道系统的热阻才能进行，显然，绝大多数情况下是不具备测量热阻的条件的。工程上应对的办法是留取余量，根据内阻极值和工作电流计算出功耗，要求设计耗散功率大于该功耗并留取30%-50%的余量即可。如果内阻较高，同时工作电流较大，耗散功率达W级时，必须注意散热设计并尽量选择低导通内阻的管子。就你说的电流而言，SI2301等常规MOS管最多仅百毫瓦的耗散功率，焊盘和导线的尺寸选大点足矣。

chunyang

dlcnight 发表于 2016-1-21 16:57
看到了数据手册里面的一个结温和导通电阻的一个图，不太明白。
手册最开始写的导通电阻很低，0.1-0.2ohm ...

已经解答，看前帖。

dlcnight

chunyang 发表于 2016-1-21 17:04
导通内阻跟温度正相关，手册里会给出曲线或极值，按极值计算即可（这属于留取余量）。管子的温度计算跟散 ...

si2301的导通电阻手册最开始提到是0.19ohm，为什么那个结温和导通电阻图上的导通电阻那么大呢？对不上啊？
还有就是耗散功率是哪里看呢？具体是那个参数？只要mos管的导通电阻上的功率小于此值即可？

chunyang

dlcnight 发表于 2016-1-21 17:12
si2301的导通电阻手册最开始提到是0.19ohm，为什么那个结温和导通电阻图上的导通电阻那么大呢？对不上啊 ...

图是跟结温相关，且为极值，参数表里给出的则有测试条件，是在测试条件下取得的，且有极值和典型值之分。器件有制造工艺带来的离散，极值是最劣的情况，超出极值则说明要么器件坏了，要么质量不合格。耗散功率有工作中的耗散功率和封装的最大耗散功率以及系统内的最大耗散功率之分。工作中的耗散功率就是实际的参数，用欧姆定律计算。系统内准许的最大耗散功率必须大于实际耗散功率且需留出足够余量，否则器件会进入恶性循环直至烧毁。封装的最大耗散功率可以在网上搜，有时器件手册里也会有（未必有），因为这是常数。实际使用时通常不必考虑封装的耗散功率，这是因为系统会提供散热或加热渠道，故而要以实际情况为准。

chunyang

为便于初学者理解，可以打个比方。封装的耗散功率有如一只水桶，实际工作中的耗散功率就是往里面加的水，而系统内准许的最大耗散功率就是在水桶上套更大的水桶或者往水桶里加砖，这可以增加或减少水桶的实际容量。所以显然，加的水（工作中的耗散功率）不能多于实际容量（系统内准许的最大耗散功率）。
功率器件通过PCB甚至散热片、风扇等等的途经可以大幅增加准许的最大耗散功率，但通风不良或旁边还有其它发热器件等则会降低该功率器件在系统内准许的最大耗散功率，一旦超限，这时就要采取相应的处理措施。

dlcnight

chunyang 发表于 2016-1-21 17:41
图是跟结温相关，且为极值，参数表里给出的则有测试条件，是在测试条件下取得的，且有极值和典型值之分。 ...

normalized不是正常值的意思么？怎么是极值呢？

chunyang

dlcnight 发表于 2016-1-21 18:03
normalized不是正常值的意思么？怎么是极值呢？

所有参数表和曲线都已经考虑了器件的制造离散性，在离散参数里取最差的，这是正规企业的行规。在法制社会里，如果厂家不这么做，一旦被用户找到超出准许比例的不符合器件手册的器件（这个也有质保的标准，但不会在器件手册中载明），那就可能遭到索赔，而且一告一个准。
实际应用中还要再留取余量，但基本计算依照参数表和曲线进行。

dlcnight

chunyang 发表于 2016-1-21 18:12
所有参数表和曲线都已经考虑了器件的制造离散性，在离散参数里取最差的，这是正规企业的行规。在法制社会 ...

不是啊，我意思是参数一个给的是0.2ohm，曲线是1ohm了快，那到底哪一个是极限值？按1ohm算走1A电流耗散功率都1W了

雨后的梧桐

AO3401足以应付你的需求。

chunyang

dlcnight 发表于 2016-1-22 16:04
不是啊，我意思是参数一个给的是0.2ohm，曲线是1ohm了快，那到底哪一个是极限值？按1ohm算走1A电流耗散功 ...

注意测试条件，不同条件下的参数不同，曲线上的ID较大，你用的参数取0.2欧姆已经是极值。

chunyang

注意，VGS和VDS的关系决定着导通程度，当然就跟内阻有关，导通程度越深，内阻越小。所以怎么取参数，这个跟你的具体电路设计有关。建议仔细去看看教材，弄明白晶体管/MOS的基本原理和应用电路。

dlcnight

雨后的梧桐 发表于 2016-1-22 16:32
AO3401足以应付你的需求。

这个管子吊，比si2301和irlml6402都厉害

dlcnight

雨后的梧桐 发表于 2016-1-22 16:32
AO3401足以应付你的需求。

这个图我还是不明白，怎么导通电阻这么大

dlcnight

chunyang 发表于 2016-1-22 16:40
注意，VGS和VDS的关系决定着导通程度，当然就跟内阻有关，导通程度越深，内阻越小。所以怎么取参数，这个跟 ...

内阻主要取决于vgs和vds，我的电路里面vds和vgs都是确定的。mos管什么基本原理我懂，就是看这个图不太明白。id较大也不影响内阻吧。

chunyang

dlcnight 发表于 2016-1-26 22:24
内阻主要取决于vgs和vds，我的电路里面vds和vgs都是确定的。mos管什么基本原理我懂，就是看这个图不太明 ...

电流越大，内阻也会越大，但未必是线性关系。

雨后的梧桐

dlcnight 发表于 2016-1-26 21:57
这个管子吊，比si2301和irlml6402都厉害

呵呵，应你要求。你能用就好。