有关BJT充电方案的理解

你好协同

有关BJT充电方案的理解 [复制链接]

各关于这个方案的理解如下和问题如下所示，望大家一起讨论学习！谢了！1、关于MOS管的作用，大家觉得这个MOS管放在这有什么作用呢，能不能把MOS管去掉，将图中的R513焊接为0Ω的电阻呢？
2、关于“CHR_LDO”这个LDO的理解，要是我把MOS管去掉是不是这个LDO也没有必要引出了？

3、这一点和上面两点有点区别，就按照这个电路使用，那么作为PMU的LDO输出端“CHR_LDO”为什么还要连个电阻（就是图中的R502）接到VBUS呢，这样结又有什么作用呢？

希望大家各抒已见，发表自己的看法，会的帮我们解释一下，不会的提出你们的见解，大家一起共同学习进步！
谢谢大家了！

qwqwqw2088

楼主的几个问题，取决于Q502的功用，按楼主叙说，是充电方案，该芯片该是一颗充电保护IC
mos管在这里是高速开关的，由Q502检测电池电压进行保护，由MOS管执行关断

Q502是什么IC

chy826

主要还是保护作用，按照你去掉方案，不是一直工作吗那个Q502

你好协同

qwqwqw2088 发表于 2015-9-1 10:36
楼主的几个问题，取决于Q502的功用，按楼主叙说，是充电方案，该芯片该是一颗充电保护IC
mos管在这里是高 ...

Q502是个三极管，就是通过控制基极电流来控制充电电流，而控制电流也是通过PMU内部控制IB；

你好协同

chy826 发表于 2015-9-1 11:09
主要还是保护作用，按照你去掉方案，不是一直工作吗那个Q502

不会一直工作的，充电管基极电流大小是有PMU内部控制的，和MOS管无关；

chy826

那个VDRV是单片机出来的，实在不行你按照你的办法改试试看看，去掉保护会出现什么问题

qwqwqw2088

你好协同 发表于 2015-9-1 11:40
Q502是个三极管，就是通过控制基极电流来控制充电电流，而控制电流也是通过PMU内部控制IB；

因贴出的是部分电路只能猜测，RSENSE是过流电阻，ISENSE是检测过流保护的，VDRV应，VHR_LDO该是过压保护之类的检测,如果是这样，MOS管是不能去掉的，当然去掉电路可以工作但没有保护作用

你好协同

chy826 发表于 2015-9-1 12:52
那个VDRV是单片机出来的，实在不行你按照你的办法改试试看看，去掉保护会出现什么问题

这是一个比较成熟的方案，我想既然大家用的这么多，这么长时间，应该是有他的存在道理的，计算我去掉能够工作，也行存在潜在的隐患！呵呵

你好协同

qwqwqw2088 发表于 2015-9-1 14:23
因贴出的是部分电路只能猜测，RSENSE是过流电阻，ISENSE是检测过流保护的，VDRV应，VHR_LDO该是过压保护 ...

这是一个充电电路，那个sen电阻是电流采样电阻，这样方便PMU控制充电管基极的电流来控制总的电流！

qwqwqw2088

你好协同 发表于 2015-9-1 21:53
这是一个充电电路，那个sen电阻是电流采样电阻，这样方便PMU控制充电管基极的电流来控制总的电流！

RSENSE是过流电阻有称采样电阻一样意思，直接测量此电阻两端电压可判断总电流大小

你好协同

qwqwqw2088 发表于 2015-9-2 08:20
RSENSE是过流电阻有称采样电阻一样意思，直接测量此电阻两端电压可判断总电流大小

恩，是的！