boost电路尖峰问题

_Mr.Q

boost电路尖峰问题 [复制链接]

本人在做有关boost电路的仿真，24V升到100V，IGBT刚导通的瞬间会有一个电压冲击，能达到500V，请问这个电压尖峰如何抑制，求高手指点！！！

maychang

不把原理图贴出来，谁能知道你的示波器显示的是哪一点的波形？

LeoMe

这个好像叫过冲
不知道你的MOS（IGBT）的开关速度能不能调整，如果可以调整的话试着减慢MOS的开启速度，就是让第二张图电压上升的速度减慢，波形减缓，IGBT不太了解，如果换成MOS，看到过冲我可能会试着增大栅极电阻，在效率和发热允许的情况下减慢MOS开启的速度
MOS开关速度慢，则发热大，效率低，但是过冲少，EMI表现比较好
MOS开关速度快，发热小，效率相对会高一点，但是会出现明显的过冲，EMI严重一些
以上一点拙见

_Mr.Q

LeoMe 发表于 2015-4-16 08:44
这个好像叫过冲
不知道你的MOS（IGBT）的开关速度能不能调整，如果可以调整的话试着减慢MOS的开启速度，就是让第二张图电压上升的速度减慢，波形减缓，IGBT不太了解，如果换成MOS，看到过冲我可能会试着增大栅极电阻，在效率和发热允许的情况下减慢MOS开启的速度
MOS开关速度慢，则发热大，效率低，但是过冲少，EMI表现比较好
MOS开关速度快，发热小，效率相对会高一点，但是会出现明显的过冲，EMI严重一些
以上一点拙见

非常感谢，我试试！

qwqwqw2088

一般IGBT电路采用抑制关断时的电压尖峰。
IGBT的尖峰有很多原因，楼主的开通瞬间不好判断。
如果是关闭时的电压尖峰，建议试制进行栅极驱动电阻变大,关断时间延长,电压尖峰变小。

xiaoxiao2211

我经常接触的是BUCK电路，phase冲的过高，一般加一个RC串联的Snabber电路，还有降低MOS开启速度，呵呵，拙见。

_Mr.Q

xiaoxiao2211 发表于 2015-4-20 21:58
我经常接触的是BUCK电路，phase冲的过高，一般加一个RC串联的Snabber电路，还有降低MOS开启速度，呵呵，拙见。

谢谢啊！