关于光耦的应用设计（转）

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关于光耦的应用设计（转） [复制链接]

一、 选型：根据要求（比如：使用光耦的环境，光耦的速度，功耗等）选择使用光耦的型号。如：低速光耦、高速光耦。

例：现在需要一个光耦的速率为56000bps。一般的低速光耦（tlp521，pc187等）是达不到这个速度的，因此，需要选择高速光耦。低速，高速是根据Tr和Tf通过计算得出的。所以，主要看这两个参数。

二、 上拉电阻和限流电阻的选取：

（1） 限流电阻RF：限流电阻是根据IF的大小和发光二极管上面的压降（VF）的多少来选取的。不同型号的芯片，其发光二极管的压降也不尽相同，不过，常用的型号的光耦芯片其二极管的压降一般取典型值1.4V-1.7V。IF的值一般要小于5mA。

RF=（Vin-VF）/IF

（2） 上拉电阻RL：上拉电阻的阻值是CTR（电流传输比），VCE和VCC一起共同作用计算出来的。这里计算阻值是按照最小的CTR来计算

RL=（VCC-VCE）/IC，IF=IC*CTR。

IC、IF和VCE之间的关系如下：

考虑到功耗和三极管尽快的进入到饱和区的问题，则RL要足够的大。一般RL的取值为1K到10K之间。

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那么 VCE的值一般取多少合适？