TI的MSP430 MCU突破500nA极限 编辑推荐:德州仪器(TI)最新的MSP430F20xx微控制器主要面向电池供电的应用,该MCU采用了独特的超低功耗晶振(VLO)技术,待机模式下电流仅500nA。 读者评论: 1、我喜欢这种低功耗的封装。 2、MSP430是一款简单而且廉价的MCU,我们正将它应用到更为复杂的产品设计中以实现服务和升级功能。 3、确实很引人注目,特别是在相同的电池条件下,可使火灾探测器或家用温控器这类系统工作十年以上。 4、与以前的产品在软件上的兼容性是个问题。 5、有意思! 6、要是能用到无线移动设备中就更完美了。节能总比寻找替代品更能保护自然资源,何必要消耗更多的资源呢? 7、减少外围元件确实有利,能减小PCB尺寸和元件成本。 8、完美地整合了低功耗、速度和片上外围器件。 9、超低功耗和多功能使之非常适合于小型嵌入式应用,同时TI对该产品的相关支持也不错。 10、低功耗且多功能,缺点是速度和片上RAM。 11、非常好的产品,将来可以用一用,我会继续关注这款MCU。 12、在航天设备中应该非常有用。 13、突破极限值得关注。 14、小芯片,大手笔,多功能,完备的工具和技术支持。我已经在几个小项目中采用了MSP430,而且将来还可能继续使用。 15、在电池寿命作为重要指标的通信设备中低功耗是设计的关键。 16、用哪种编译器呢? 17、集成的时钟给人印象深刻,我还想知道这款MCU更多的功能。 18、好极了!低功耗,发热少,更可靠... 19、用过以前版本的MSP430,不过我很想了解这款MCU具有的硬件和功能。 20、真酷!我定购了20美元的演示套件,所以能在家里学习有关这款MCU更多的知识。它没有足够的功率替代我用的OMAP芯片,不过具有某些有用的外围功能,如硬件乘法器... 21、在低占空比应用中能降低待机功耗是值得称道的,增加的其它功能可降低设计的难度和成本。 22、我们在空间飞行中需要用到耐辐射(rad hard)器件,许多空间应用中都用到了事件驱动的低功耗传感器。1us的开关时间是个极佳的指标,不过对于我们的应用来说需要能够提供抗辐射的产品。 23、对我们的下一代产品来说,低功耗时必须的。 24、控制充电参数的功能非常重要,很高兴TI能够考虑到该方面的需求。 25、看起来这种MCU有助于在低功耗和可靠性下实现更高的性能,价位似乎也合理。 26、作为组合功能的芯片看来极为有用,我更想了解有关它的I/O性能。 27、对消费产品意义深远,未来一片光明! 28、最可能的应用:智能传感器应用。 29、在这个价位上实现高性能和低功耗可延时智能应用。 30、突破功耗极限意义重大,为所有低功耗应用制造商带来了曙光。 31、这正是我突破期待已久的突破,对电池供电产品意义非凡。 32、这是理想的监控MCU。 33、对长期电池供电监控和太阳能供电设备来说是极佳的选择。 可用性排名:1 SanDisk的4GB嵌入式存储器件可替代微型硬盘 编辑推荐:SanDisk公司的iNAND是一种小型高速NAND闪存器件,据称该产品可作为移动应用中微型硬盘的替代品。该嵌入式存储设备采用了SanDisk的TrustedFlash技术,可使消费者购买预置了音乐、电影和游戏的闪存卡,并能够与移动电话、膝上电脑、PDA及其它便携设备交互。 读者评论: 1、我想了解更多关于ECC实现的细节。 2、难以置信的写入速度和封装尺寸,价格也不错。 3、能不受应用平台的限制对于方便性和灵活性来说极为重要。 4、在同等容量下体积减小25倍,骗人的吧? 5、很有用。 6、不错! 7、SanDisk多年来在Flash技术方面的努力让人印象深刻。 8、好办法! 9、符合潮流,最终会产生更高存储密度和更低价格的产品。 可用性排名:2 飞思卡尔的新款8位MCU售价不到1美元 编辑推荐:飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)公司为其8位微控制器家族新增了一种高集成度的产品S08QG系列。MC9S08QG8/QG4 MCU增加了增强的8通道、10位A/D转换器,为用户的模拟输入提供了简单接口,减少了外部元件成本。该MCU提供一个串行通信接口(SCI)、一个串行外围接口(SPI)模块和内置集成电路(IIC)总线模块,从而尽可能减少了外部元件的数量并增加了设计的灵活性。 读者评论: 1、很好的低/中端嵌入式器件,良好的集成特性。 2、可替代TI的MSP430,CodeWarrior也不错,性价比很高。 3、S08系列MCU对于小型嵌入式系统的确不错,串行调试方式有点局限,不过可以接受,因为价格低嘛。 4、以太网应用通常采用10和32位的CPU。 5、很可爱的,尤其对于我们采用多通道转换阵列的开发来说,也许不是对每个人都有用,但对我很有帮助。 可用性排名:3 Microchip推出16位PIC MCU 编辑推荐:Microchip Technology公司发布了首款系列16位PIC微控制器PIC24。该MCU提供22个通用器件,指令速度高达40MIPS,具有16KB的RAM、256KB闪存,采用100引脚封装。PIC24系列MCU由2个系列组成,其中16 MIPS PIC24F在性能、存储器和外围接口方面提供了很高的成本效率,PIC24H则具有40MIPS的性能,更多的存储容量和外围接口,如CAN通信模块等。 读者评论: 1、性能更高的确重要,移植也方便,还有10K量购的价格。 2、能有这样低成本的16位产品太好了。 3、很有用。 可用性排名:4 Spansion 1Gb NOR闪存冲击存储器市场 编辑推荐:通过将MirrorBit技术扩展至90ns工艺,Spansion LLC推出了面向嵌入式应用的单片1Gbit NOR闪存器件。该1Gb MirrorBit产品是Spansion公司GL家族最新的成员,存储密度在16Mb至512Mb之间,工作电压为3V,随机读取速度为110ns,通过一个8字的页面缓冲器可提供25ns的页面读速。该器件向后兼容早期产品,支持通用软件,引脚和封装与MirrorBit GL-M(230-nm)、MirrorBit GL-A(200-nm)及MirrorBit GL-N(110-nm)相同。此外这种闪存还兼容以前基于320nm工艺的Fujitsu与Advanced Micro Devices LV家族产品。 读者评论: 1、我喜欢这种向后的兼容性。 2、难以置信的价格、速度和存储密度,3V也不错,如果能支持1.8V就更好了。 3、很有用。 4、让人感兴趣。 5、重要的不在于封装尺寸,而在于能用于嵌入式应用。 6、MirrorBit技术看起来取得了成功—不过我还希望看看AMD和Fujitsu合作的技术白皮书链接和更多信息—更希望看到有Intel参与的竞争性合作(co-opitition)。 7、存储技术不断突飞猛进,这才是根本! 8、我要把它用到工程设计中。 可用性排名:5 Intel的90nm MLC NOR闪存可达1Gb存储密度 编辑推荐:Intel公司推出的第五代StrataFlash多级单元(MLC)闪存产品M18是首个实现量产的1.8V、90nm NOR器件。M18主要面向手持设备市场,提供256Mbit、512Mbit单片容量,并可采用Intel的芯片级封装(CSP)成为1Gb芯片,其引脚支持共享和分割总线架构下的PSRAM和SDRAM,读取速度高达133MHz,写入速度达0.5MB/s,同时该产品还支持3MP相机与MPEG4视频。 读者评论: 1、读取速度不错,不过写速太慢,在不了解价格信息的情况下难以估计其可用性。 2、很好啊。 3、如果明天又听说另一款闪存更好的话就很难让人激动了。不过这款闪存听起来还是不错的。 可用性排名:6 SST的磁盘控制器支持大容量存储系统的NAND闪存 编辑推荐:Silicon Storage Technology(SST)公司的SST55LC100 CompactFlash NAND闪盘控制器可使设计人员建立基于标准NAND闪存的大容量存储系统。该控制器嵌入了SuperFlash技术,能通过对嵌入的闪存编程改变其固件以支持最新的NAND闪存组件,而传统基于掩膜ROM的控制器则需要改变掩膜程序才能集成新型NAND设备。 读者评论: 1、如果采用太多存储单元的话支持图像的架构可能存在瓶颈,怎样的内存管理才能实现数据组织以提高吞吐量。采用多单元的方式,如何解决这个问题呢? 2、值得关注。 3、对我们信号处理的需求来说,该产品意义重大。 可用性排名:7 Keil发布新版8051 MCU工具 编辑推荐:Keil Software推出的uVision3集成开发环境(IDE)在其PK51和其它开发套件中提供了一个重要组件,覆盖了8051 MCU的所有产品。除增加了源代码描述、函数向导、模板编辑和搜索功能外,该IDE还集成了Keil的C51 Version 8编译器。此外,uVision3还提供了配置向导,可缩短生成启动代码与配置文件的时间,同时其内置的仿真器可模拟目标MCU,包括指令集、片上外围接口以及外围信号等。uVision3提供逻辑分析仪,同步显示程序变量随I/O引脚和外围接口的变化。 立体声耳机放大器也采用3.3V电源供电,能连续为每个通道提供平均25mW的功率,以驱动立体声的32Ω负载,同时其总谐波失真及噪音仅1%。 读者评论: 1、很高兴看到对成熟产品的支持。 2、在市场上具有竞争性,不过还需要进一步降低成本。 3、我们还打算利用以前的8051 MCU代码,或许值得看看。 4、IDE对于dev多数言过其实...常规的实现更值得怀疑,需要大量学习过程。 可用性排名:8 三星推出256Mb GDDR4器件 编辑推荐:三星电子(Samsung Electronics)正式面向图形卡制造商推出一种图形双倍数据率第四代(GDDR4)256Mb显存器件用于测试。GDDR4存储器件能以2.5Gbps或10GBps的速度处理游戏和视频图像,相当于传输10小时DVD质量的视频。最快的显存速度目前局限在1.6Gbps以内,随着游戏和视频分辨率及所包含内容的增加,图像DRAM数据处理性能需要进一步得到提高。但当数据在图形芯片和本地系统之间进行传送时,其固有的传输延迟限制了传输速率。位实现2.5Gbps的传输率并降低传输延迟,GDDR4器件采用了数据总线倒置(DBI)和Multi-Preamble技术,从而使传输速度较传统图形产品提高了56%。 可用性排名:9 Inphi推出小封装、低延迟低功耗的FB-DIMM 编辑推荐:Inphi公司的IN581AMB是业界首款含有高速串口与DDR2 SDRAM接口的全缓冲DIMM(FB-DIMM)器件,完全兼容JEDEC AMB规范。IN581AMB可用于提升内存控制器与下一代服务器和通信设备通道模块之间高速、串行、点对点的连接性能。AMB技术是存储器产品的创新性技术,可通过从并行总线到串行总线的方式实现存储器向处理器架构的变迁,使之可以像其它通信系统中的I/O一样应用。 读者评论: 1、作为用户而不是设计人员,这种技术对我是透明的。不过人们总是希望这些进展能尽快用于实践。大量的数据文件、CAD文件等等需要随增加的传输率进行交换,这类技术会受到欢迎的。 2、重要的是带宽和容量。 可用性排名:10 |