采用氮化镓FET解决LLC电路死区损耗

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氮化镓产品的优点:
A,可以高频化,传统硅在高压下工作频率做不到200K以上.体积下不来,氮化镓可

以做到几M的频率,300K-500K的设计可以使产品小型化.
B,体内没有PN结,没有二极管,但有二极管的续流特性,反向续流损耗大大降低.
C,氮化镓的结电容远小于COOL-MOS, MOSFET,上升,下降,死区损耗明显降低.
D,开关损耗很小,相对MOSFET可忽略.正因开关损耗很小,EMI反好.不用担心高频

化后EMI解决不了事.

LLC电路因是软开关,本身的开关损耗已是很小,电路上的大部分损耗来自于工作


的死区损耗.因为氮化镓FET的结电容很小.从而死区的损耗远小于COOL-MOS

/MOSFET. 上升下降速度快且损耗小.

https://www.dropbox.com/s/fnptsw208bqdc8y/TDPS250E0D2-KIT%20LLC%E7%94%B5%E8%B7%AF%E5%BA%94%E7%94%A8%E4%BE%8B.pdf

https://www.dropbox.com/s/0p0vu81hd4yyt9h/LLC%E6%B0%AE%E5%8C%96%E9%95%93%E7%94%B5%E8%B7%AF.pdf