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纯净的硅(初级)
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老师们,像下面同步整流电路的死区时间损耗怎么计算?
死区时间损耗都考虑哪些因素?
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超级版主
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对这样的Buck电路来说,“死区”时间内低边MOS管的体内寄生二极管是正向导通的,所以需要考虑该体内寄生二极管的正向压降。
版主
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死区时间损耗,开关管不导电的时间,在电路无法实现有效的能量转换,会产生损耗
先知道死区时间大小 再确定死区时间内的电流损耗
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同步整流的死区时间段,通过下管的二极管续流,所以这段时间的损耗是二极管的导通压降乘以续流电流
beyond_笑谈 发表于 2024-5-14 21:33 同步整流的死区时间段,通过下管的二极管续流,所以这段时间的损耗是二极管的导通压降乘以续流电流
具体怎么计算,能不能给个公式呢 如果需要计算热损耗,还需要考虑晶体管和二极管的导通电压降以及整流电路的工作温度
Knight97538 发表于 2024-5-21 08:35 具体怎么计算,能不能给个公式呢 如果需要计算热损耗,还需要考虑晶体管和二极管的导通电压降以及整流电 ...
上管:开关损耗+导通损耗
下管:开关损耗+导通损耗(同步整流)+死区时间的续流功耗
开关损耗可以搜一下MOSFET开关时给米勒电容充放电的功耗,导通损耗和续流损耗计算简单的
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