富士通FRAM心得提交

littleshrimp

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本帖最后由 littleshrimp 于 2014-1-13 12:19 编辑

家里断网明天到单位上传文字照片和视频
敬请期待(^_-)-☆

前段时间曾在代理申请过铁电的大哥大锐创（Ramtron）的样品，苦苦等了两个多月，后来由于锐创被赛普拉斯（Cypress）收购导致样品没能申请成功就暂停了我们的铁电之旅。

近期EEWORLD有了富士通FRAM的活动，真心的感觉非常好，让我有机会圆了铁电的梦，以前还真不知道富士通原来这么牛X，连铁电都出了这么多型号。

因为最近的工作重点不在铁电，申请到样品MB85RC256V后简单做了解，发了一篇帖子（https://bbs.eeworld.com.cn/thread-427677-1-2.html）就把样品收好等着拿淘宝上转卖了（开个玩笑）。

样品图片如下：

一直以蹭网为生的我，这几天又赶上断网，今天一看临期末晚了么，赶紧用手机流量下了个手册下了个I2C的代码，准备正式测试这个神奇的铁电。因为上一篇贴子也提到过，经过研究想在这短短的几天时间写死MB85RC256V这家伙是不太现实的，而且还费电字儿。所以咱们就玩点有意思的，测试一下MB85RC256V的写入速度和低功耗，因为家里没有各种先进仪器也没有各种互联网，时间也有限，就只好写一个简单程序，测试的方法虽然简单，而解决的这个问题正是我们以前遇到过的，下面正式开始。

首先是飞线，因为哥的焊功超凡，这个片子没费多少功夫就焊成这样：

file:///C:\Users\zf\AppData\Local\Temp\msohtmlclip1\01\clip_image004.jpg

这样：

file:///C:\Users\zf\AppData\Local\Temp\msohtmlclip1\01\clip_image006.jpg

还是挺漂亮的，然后连接到LaunchPad的效果是这样。

file:///C:\Users\zf\AppData\Local\Temp\msohtmlclip1\01\clip_image008.jpg

也不懒，硬件电路是这样：

file:///C:\Users\zf\AppData\Local\Temp\msohtmlclip1\01\clip_image010.jpg

具体的测试方法流程和测试环境和代码这样：

/*
2014-1-12 富士通铁电存储器MB85RC256V写入速度与功耗测试程序
检测原理：
1.通过二极管将外部电源与测试板电源隔离测试板使用1个10uF和1个100nF电容畜电
2.使用单片机I/O口检测外部电源电平，掉电检测I/O使用下拉电阻
3.工作时掉电检测I/O由外部电源拉高
4.单片机工作时处于低功耗状态
5.当外部电源掉电后，掉电检测I/O通过下拉电阻产生下降沿中断
6.产生下降沿中断时唤醒单片机同时向MB85RC256V 地址0写入0x55 并点亮LED耗尽测试板电容剩余电量
7.单片机每次上电会从MB85RC256V 地址0读取一个字节数据，判断是否为0x55，如果是则点亮LED说明曾向此处写过数据
8.为方便下一次测试，使用按键清除MB85RC256V 地址0数据，将数据置零
测试流程：
1.开发板上电工作
2.断开测试板外部电源
3.开发板由电容器内部存储的电能短时供电
4.I/O产生中断
5.写入 0x55数据到MB85RC256V 地址0
6.LED点亮耗尽剩余电量
7.测度板重新上电
8.通过查看LED状态，如果LED点亮说明写入0x55成功，否则失败
开发环境：
1.使用TI LaunchPad MSP430G2553开发板
2.使用物理I2C P1.6 SCL P1.7 SDA
3.使用P1.3作为按键输入上拉电阻下降沿中断检测
4.使用P2.0作为掉电检测引脚输入下拉电阻下降沿中断检测
5.下好程序后需去掉J3所有跳帽防止电流通过I/O流入
6.MB85RC256V使用杜邦线飞线连接
7.使用47K外部上拉电阻
8.MB85RC256V地址线全部拉地
*/
#include <msp430.h>
#include "i2c.h"
#define SlaveAddr 0x50 //MB85RC256V 地址
#define POWER_DOWN 0x01 //掉电标志
#define S2 0x02 //S2按键标志
unsigned int rx_data; //用于存放读取到的数据
unsigned char state = 0; //掉电或按键中断标志
int main(void)
{
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // Stop WDT
BCSCTL1 = CALBC1_1MHZ; // Set DCO
DCOCTL = CALDCO_1MHZ;
P1OUT &= ~BIT0; //LED关闭
P1DIR |= BIT0; //LED输出使能
P1REN |= BIT3; //S2上拉电阻
P1IE |= BIT3; //中断
P1IES |= BIT3; //下降沿
P1IFG &= ~BIT3; //清标志
P2REN &= ~BIT0; //掉电检测下拉电阻
P2IE |= BIT0; //中断
P2IES |= BIT0; //下降沿
P2IFG &= ~BIT0; //清标志
I2CInit(SlaveAddr);//初始化I2C
rx_data = I2C_Read(0); //读取MB85RC256V 地址0数据
if(rx_data == 0x55)//如果为0x55说明执行过掉电中断
{
P1OUT |= BIT0; //点亮LED
}
else//如果没有执行过掉电中断
{
P1OUT &= ~BIT0; //关闭LED 初始化时已经关闭LED 故此处无用
}
while(1)//循环
{
__bis_SR_register(LPM0_bits + GIE); //低功耗并等待中断触发
if(state == POWER_DOWN)//如果触发过中断且为掉电中断
{
I2C_Write(0,0x55);//向MB85RC256V 地址0写入0x55
P1OUT |= BIT0; //点亮LED此处用LED来耗尽电容剩余电量
}
else if(state == S2)//如果为按键中断
{
I2C_Write(0,0x00);//向MB85RC256V 地址0写入0x00
P1OUT &= ~BIT0; //关闭LED证明写零成功
}
}
}
//按键中断
#pragma vector=PORT1_VECTOR
__interrupt void Port_1(void)
{
state = S2; //设置状态为S2
__bic_SR_register_on_exit(LPM0_bits); //退出低功耗,代码从上一次进入低功能处继续执行
P1IFG &= ~BIT3; //清中断标志
}
//掉电中断
#pragma vector=PORT2_VECTOR
__interrupt void Port_2(void)
{
state = POWER_DOWN; //设置状态为POWER_DOWN
__bic_SR_register_on_exit(LPM0_bits); //退出低功耗,代码从上一次进入低功能处继续执行
P2IFG &= ~BIT0; //清中断标志
}

复制代码

具体测试视频发下：

[视频刚刚上传正在审核]

代码打包如下：

2014-1-12 MSP430G2553 HARD IIC I2C MB85RC256V FRAM(整理前好用，添加注释).rar (136.46 KB, 下载次数: 4)

I2c.c的代码是网上抄来了，简单修改，把高地址默认改成0了，需要写其它地址需留意此处。太懒，没爱改成15bit

I2CSendBuffer[1] = 0;

I2CSendBuffer[0] = address;

我的测试心得就是，MB85RC256V绝对是个很牛B的东西，配合msp430使用10uF+100nF来实现掉电数据保存真的是绝配，如果留心看视频会发现，每次掉电后红色LED是会闪亮一小下的。也就是说MB85RC256V写完数据后还有很多电量供LED发光。

这种情况下普通的EEPROM是不可能实现的（我也不敢保证），不信的朋友可以试试。

好了，今天就到这儿，等着拿大奖喽。

:D

upc_arm

写的很详细

nealfox

我也申请了一直没有消息估计被拒了
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