仙猫

　联合国安理会有必要通过一个决议，把最初制定钽电容记号标准，将正极标为黑线的人定性为恐怖分子，因为他/她/它的行为已使全世界的电子技术陷入混乱，让大批电工们名誉受损，财产损失不计其数！
　

chunyang

稳压器的输入侧不必用，输出侧因为负载是高频电路用钽电解是不错的，但同时要再并联小容量的NPO电容做去耦。

xuyiyi

俺一般在输出侧用一个大容量的贴片电容，二合一代替高低频这两个电容，省力省事省银子，效果也不错，哈~~~

lonerzf

哦，原来如此，感谢。

lonerzf

谢谢，我到时候试试。

chunyang

即使是钽电解也得这么干，我在前帖中提到要加个小容量的去耦电容就是这个意思，有时甚至要多个不同容量的并联。至于用不用钽电解，如果稳压器合适，全部用叠层陶瓷电容显然成本更低，但不是所有稳压器都支持陶瓷电容做滤波的，不少稳压器会因此发生自激振荡。

chunyang

注意26楼的信息。

zca123

楼主算好的了，接反的最多就是发烫。我见过钽电容爆炸，太猛了

lonerzf

嗯，并联几个小容量陶瓷的去耦电容不能丢。非常感谢。

lonerzf

运气好的我都不敢相信，钽电容都没发烫。可能是我电路上电时间短，发现电流不对立马就拔电源了。呵呵。

HALO--117

前两天偶然看到，钽电容不适宜在比较潮湿的地方使用，因为空气中水分增加，可能导致电容的触点短路，而钽电容的自我愈合功能会加剧短路时热量的产生，最终使得电容失效，甚至危及整个系统。

dontium

原帖由 chunyang 于 2013-11-21 23:13 发表
稳压器的输入侧不必用，输出侧因为负载是高频电路用钽电解是不错的，但同时要再并联小容量的NPO电容做去耦。

NPO一般用于高步谐振回路。

一般地，它的容量不大，但温度系数特好，基本在温度变化时它的容量不变。

在电源滤波上，对温度系数没有要求，只要是瓷片电容就行。

[ 本帖最后由 dontium 于 2013-11-22 21:07 编辑 ]

chunyang

对于高频电路特别是微波电路而言，必须考虑电容的ESL参数，NPO电容在这方面比其它瓷介电容好，所以要用NPO电容。

chunyang

现代钽电解没有这个问题，密封性是有保障的。

dontium

首先说，使用高质量的器件肯定好，就象生产民用产品时使用航天级的IC一样。

现在的NPO及X7R等瓷片电容的生产工艺基本是MLCC。NPO为了保障其温度特性，主要是从瓷介质材料上的改善。有的可能在电极材料上也使用了贵金属。针对NPO一般用于高频场合的特点，可能还使用其它工艺。

X7R与NPO电容等效ESL的差别，----- 我认为，即是有也是很小的。瓷片电容的ESL非常小，在电源中已经不足以考虑它的存在。
在电源的滤波中，不可能有超过UHF频段的交流信号了，更不用说微波。因为不把这些信号在“当地“滤掉，系统可能早就不正常工作了。再者，频率越高，越容易滤除。
电源反馈部分的带宽很窄 --- 相对于高频，即是高频干扰，也不会影响它的稳定。

因此我认为，在电路中使用瓷片电容是必要的，X7R已经足矣。

chunyang

应当说，你的认识有所欠缺。高频/微波电路对噪声比较敏感，系统内的背景噪声对信噪比有不利影响，而且现代高频/微波IC的设计及制造工艺容易导致电源耦合的高频噪声（注意，该噪声非电源产生而是IC自身和本振回路产生的），这种噪声必须去除，用的办法就是NPO或C0G（后者是一些厂家对NPO材料的称法）小容量电容与大容量电容并联来对付，NPO电容并不贵，只是容量做不大（特种大容量NPO电容不在讨论范围内），恰好适用于对付高频噪声。X7R或X5R材料主要用于数千pF以上容量的电容，其制造成本并不比NPO电容便宜，二者的市场售价也是相同的，所以“航天级”器件的类比并不存在，这个比喻完全彻底的不恰当。
MLCC电容的ESL参数跟叠层的层数及最终容量直接相关，容量越大则叠层数越多ESL值也就越大，X7R材料适用的容量范围内，其ESL已经过大，不能适用于我前面所言的高频滤波/去耦，高频系统通常的做法是电解电容、X7R/Y5V电容、NPO电容并联的办法来对电源回路进行滤波及去耦。为降低成本，中等容量的X7R电容可用廉价的Y5V电容代替。在我设计的严谨型产品中，我喜欢使用钽电解+X7R+NPO联合滤波去耦，所增加的成本非常有限，一组滤波去耦电容的成本也就一毛多到两毛多，钽电解才是大头，有时还要再加磁珠电感。“猴版”设计则采用Y5V微法级电容+X7R+NPO甚至干脆只用X7R+NPO，成本不到一毛，其中的大头是那个微法级的Y5V电容。前述X7R和NPO电容的价格均为一盘三十多到四十出头的价格，差价由品牌带来而非材料，村田、京瓷、国巨、风华的同样电容价格是不同的。

dontium

我认为：
1、同样品牌、同等容量、同样封装的NPO电容价格，肯定在其它瓷片电容之上。
2、就算楼主的电源应用于高频电路中，并联小电容是应该的，但并非只有并联NPO最好。
3、同样品牌、同等容量、同样封装的NPO电容的ESL应该（我没有实测过）与其它电容差别不大。

但作为做高频电路的公司，小容量NPO料还是很多的，如果为了作滤波而再买其它材料的电容没有必要，所以这种情况下使用NPO还是可以的。

我觉得，你的测试条件好，最好实测一下NPO电容与其它电容的ESL的差别 --- 当然，尽量采用除材料不同外的其它相同。

chunyang

1、现在的叠层瓷介电容已经形成了特定的市场，数千pF及以下的主要是NPO或C0G电容，数千pF以上至低数uF（4.7uF及以下），常见的有X7R、X5R和Y5V，数uF至数十uF的主要是Y5V。其中有明显差价的仅仅是Y5V电容。如果把NPO电容的容量做到0.01uF或以上，那么价格高是肯定的，但这样的电容在零售市场根本买不到。同样的，X7R电容在市场上也找不到数千pF和以下容量的。Y5V电容是最便宜的，市场上销售的容量从数千pF到数十uF的都有，但对高频电路而言，Y5V的损耗角太大，而且也没有数千pF以下的容量，早期有，但早停产淘汰了，X7R则从未有过数千pF以下的产品。
2、鉴于市场现状，使用NPO电容并不会增加成本，国际名牌价格顶多1分出头一点一只，其它品牌的不到一分钱，目前已经没有其它更廉价的选择，这是市场决定的。
3、肯定有区别，因为材料的介质系数不同，这导致同封装、同容量的叠层层数必然不同，故而ESL值也肯定不同，但对实际无影响，市场已经根据容量和材料区分了。我手里也没有可以测ESL的设备，这需要昂贵的专业测试仪器，特别是对小容量电容的ESL测试，就算有，现在的市场上也基本上没有可供对比测试的标的，唯一交集区在中到高数千pF这个量级，但这个规格的电容不会用到高频去耦中。需要用小容量电容做高频去耦的，最大容量选择在200pF以下，这个领域，目前只有NPO/C0G电容。