关于场效应管的疑惑

kobe1941

关于场效应管的疑惑 [复制链接]

事情的起因是这样的，一个防止电压跌落的电路，主要疑惑有两点，一个是寄生二极管在mos管中所起的作用，另一个是mos管的工作和导通条件。

图中，C240不贴，R157也是不贴的，然后VCC4.35V左右，VIO3.3V，这两个都是外部提供的电压，右边磁珠那边是要给芯片供电的，在3.5V到4.2V都可以，电路是用来防止芯片消耗电流突增时供电电压跌落。

kobe1941

可以这么来理解，正常情况下，VCC通过最上边的二极管D2来给芯片供电，此时二极管压降不大，满足芯片电源电压要求，，同时，三极管处于导通状态，但是电流很小（电阻很大），三极管压降不大，所以此时mos管截止。。
但是当芯片吸取电流突然增大时，芯片供电电压可能会被拉低，此时由于VIO电压固定为3.3V，所以，三极管截止，mos管导通，从而不让电压因为大电流而跌落，当然这只是持续很短暂的时间，但是这个电路的目的就是防止电压跌落导致芯片shut down。。

我的问题是，，不是很理解mos管导通截止的条件，，以及寄生二极管和最上边二极管的不同点。。。求指教，谢谢

dontium

如果是像楼主所说的：“这个电路的目的就是防止电压跌落导致芯片shut down”的，那么，这个电路的设计是不成功的！


对于非正规的、非典型的电路，建议楼主不要去学习它。

kobe1941

原帖由 dontium 于 2013-7-25 23:36 发表
如果是像楼主所说的：“这个电路的目的就是防止电压跌落导致芯片shut down”的，那么，这个电路的设计是不成功的！


对于非正规的、非典型的电路，建议楼主不要去学习它。

真的假的额？这是公司工程师设计的电路，，我看到后有点不解专门问过他，，后来还是觉得场效应管那里跟模电书上讲的有点不一样，，觉得蹊跷，所以来问问，要是不能用的话就问题大条，，，
当然不仅仅是这个电路能不能起作用，，通过分析这个电路，，引出了我对场效应管的导通的疑问，因为书上的分析是先假定衬底是连接到管子的源极的，然后再展开分析，，所以，才会有一个P沟道的增强型管子导通的条件是Uds＜０，且Ugs

dontium

根据你对电路功能的叙述，这个电路的设计利用改变等效串联电阻的办法来解决负载特性，是有缺陷的，也不是个好办法。

现在生产的MOS管，衬底基本上是固定连接的。

FET的导通与晶体管是不一样的，它是栅级控制沟道的导电性能。沟道呈电阻性。所以，可以源、漏相换。
但由于工艺原因，某些管子源与漏极还存在些差别。

kobe1941

这个电路不是改变串联阻抗什么的，，就是为了让芯片供电电压在降低到一定程度时，，mos管导通一下，，把电压拉回来，，防止电压太低导致芯片关机，，拉回来后只要芯片消耗的电流下去了，，mos管就又截止了，，总之就是临时让mos管导通下，，

如果衬底直接相连的话，那就说明源极和漏极不能互换，，这也符合模电书上的导通条件，，因为如果互换特性一样的话，，那只要栅极有电压，，导电沟道就会形成，，至于漏极和源极那边电压大就不重要了，，因为哪边电压大只是决定电流的方向而已，，跟mos管是否导通关系不大

dontium

在供电电源VCC及后级电路电源（这里暂称VDD吧）之间连接的东西，就应该作为“串联电阻”来分析，。如果不这样，楼主认为用什么等效来分析它好呢？

关于MOSFET的原理 ， 资料很多，可以找找看看。

请楼主记住，沟道是“电阻”，所说的“导通方向”，要看加电方向！！

[ 本帖最后由 dontium 于 2013-7-29 22:35 编辑 ]

kobe1941

恩恩，多谢版主，我再查些相关资料研究下