助力电赛|CMOS管特性探讨

zca123

助力电赛|CMOS管特性探讨 [复制链接]

•Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。 R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。 R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。 最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。这个电路提供了如下的特性： 1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。 2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。 3，gate电压的峰值限制 4，输入和输出的电流限制 5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。 6，PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决



MOS管特性探讨.ppt (722.5 KB, 下载次数: 18)

2013-7-5 10:06 上传

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[ 本帖最后由 zca123 于 2013-7-5 10:07 编辑 ]

zca123

大学对MOS管都是略讲。也不能怪教师，模电课时一般都不够，东西太多太杂。参加电赛的需要补充这方面知识。
MOS开关 .pdf (3.05 MB, 下载次数: 4, 售价: 2 分芯积分)

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qwqwqw2088

都是MOS管的好资料，，

zca123

原帖由 qwqwqw2088 于 2013-7-5 15:07 发表
都是MOS管的好资料，，

3Ks。

dontium

这个电路过去也看到过。但没有做试验。总觉得这个电路适合做集成电路时使用。