关于场效应开关管的问题

lpmrzx

关于场效应开关管的问题 [复制链接]

电路图如上，PWM由单片机产生，按理说当PWM（5V）输入为高电平时，MOS管IRFZ48N应该要完全导通才是的，可是经过测量，OUT输出端的电压只有2.2V左右，当PWM端输入低电平时，OUT只有几十毫伏，这个算是正常的。请问这是为什么呢？是PWM端的电压不够吗？或者是接法本身是错误的？

这种效果是一样的！还有种情况，将MOS管的栅极直接接+20V，其输出为20V了。
对MOS管做开关用法熟悉的各位同仁，给我点建议吧！

[ 本帖最后由 lpmrzx 于 2013-1-3 20:33 编辑 ]

仙猫

　若想让Q3作为电源开关，那么应该用P沟道MOSFET，源极接电源端，漏极接负载端，而IRFZ48N是N-MOSFET。
　另外要注意的是栅-源的极间电压要限幅，20V加到栅极上很有可能使FET损坏——IRFZ48N的栅-源间只能承受±20V！

qwqwqw2088

把负载从mos管的D级接入

lpmrzx

目前手上只有N型的MOS管，我这个是做的毕业设计MPPT，关于开关的这一块卡住了。要N型的就一定不行吗？按理来说应该是可以的。

lpmrzx

我这是在一块一块地试验，想等到每块都搞通了，在整合起来，您的这种接法没试过，可以试试！

lpmrzx

这个电路的话跟我那个比起来，貌似最大的区别在于这个图的PWM输入端与后面的MOS管驱动之间用了个IN4148二极管进行了隔离，这个图的话应该也能够实现我想要的效果吧！帮忙分析分析！我之前的那个图的问题不知道是否就是没加那个隔离二极管呢？临近期末，时间较紧，还没来得及测试！

[ 本帖最后由 lpmrzx 于 2013-1-4 18:24 编辑 ]

qwqwqw2088

像这样的电路，在输入端接一个信号发生器之类的，仿真可以就行，，实际上就行。在软件中用虚拟示波器测量，符合你的要求就行。

仙猫

6楼和顶楼图的根本区别在于——
●顶楼：用P-MOS管作开关，控制输入和负载可以共地。
●6楼：用N-MOS管作开关，控制输入和负载不能共地。

串了D1会使三极管的截止速度变慢，不过因串的目的不明，所以无法说是好是坏。
另：R1、R4的阻值比例是可以的，但绝对值取得有些偏小，选器件时要小心功率过载。

lpmrzx

两楼用的都是MOS管啊，怎么六楼的控制欲负载不能公地呢？这点不明白。

仙猫

对比两种MOS管的用法，便可知顶楼图错在哪了。

lpmrzx

我贴的第一张图个人觉得与您的这个图二貌似差不多呢？请问有什么区别吗？就是场效应管的导通不通过三极管控制了（其实也不是这么说的，毕竟三极管还能控制场效应管的截止）。这两天要准备期末考试，没来得及试验这个电路。

仙猫

原帖由 lpmrzx 于 2013-1-9 19:45 发表
我贴的第一张图个人觉得与您的这个图二貌似差不多呢？请问有什么区别吗？

请注意FET记号里箭头的方向，两图分别用了不同极性的管子，还有D和S的接法相反。

Laspide

PMOS做高边开关，电源、PMOS、负载、地
NMOS做低边开关，电源、负载、NMOS、地
如10楼图示。
二极管是用来保护单片机IO口的，一旦有器件短路，电流就可能灌进单片机了。

lpmrzx

呵呵，发现了，谢谢了！

lpmrzx

说得好，更直接，感谢！