关于430的最新铁电RAM？

jcrorxp

关于430的最新铁电RAM？ [复制链接]

现在按照我的理解是MCU上有16K的FRAM， 这个FRAM是非断电丢失行的， 因此可以保存代码以及需要保存的数据， 而且用户可以自由分配这16K的 FRAM  如  8KB  ROM+8KB  RAM 或者是15K rom  1K ram.

但是我有个疑问， 在程序中能否把要保存的数据写进ROM 中呢？？按我理解在 FLASH 类型的MUC上是一件不简单的事情~~~功耗是一个问题，而且期间万一断电还不知道会产生什么后果。

但是写进FRAM 类型的ROM 中就不一样了， 既然功耗低+速度快。 我们可否加一个稍大的电容 如3600UF的 接到MSP430的供电脚， 在断电瞬间触发中断， 用电容储存的电量 把数据写到FRAM ROM 中？

wangfuchong

不知道即使是FLASH也能不能这样？谁算过？

仙猫

楼主一开始就把FRAM的特征说得很清楚了，是RAM而不是ROM，后来怎么又变成ROM了呢？

jcrorxp

原帖由 仙猫 于 2012-5-27 09:47 发表 楼主一开始就把FRAM的特征说得很清楚了，是RAM而不是ROM，后来怎么又变成ROM了呢？

aa

 

~啊啊  可能是我表达得有问题·~~ 我这里的ROM 的意思是  用来存放代码 FRAM 的空间。

 

这个FRAM系列的430貌似是要我们在FRAM 中运行代码？带来低的功耗？ 

 

 

仙猫

没细看过430的资料，但FRAM的写入速度比Flash或EE快得多，和普通SRAM相似是ns级的，所以应该不需要在电路上专为掉电写入预备大电容，除非你要保存海量数据。
另外，“因为FRAM所以低功耗”？好像没这个说法。

chunyang

低功耗是MCU体系架构和工艺制程共同实现的，跟铁电存储器无关。铁电存储器的写入速度很快（远远超过Flash），这可以查器件手册获知，系统电源只要有足够能量支持需写入的数据（与数据量和写入速度、相关代码量均相关）即可，无需额外大容量电容的支持。