国际主流芯片大厂
Cree(科瑞)、Nichia(日亚)、Osram(欧司朗)、丰田合成、首尔半导体
国内主要芯片厂家
厦门三安、杭州士兰、武汉华灿、上海蓝光、上海蓝宝
组合名称 比例 颜色
GaAs 1:1 近红外
GaP 1:1 红、绿
GaN 1:1 蓝、绿
InP 1:1 红外
Ga(AsP) 1:(0.5:0.5) 橙红
(AlGaIn)P (0.1:0.4:0.5):1 橙色
InGa(AsP) (0.2:0.8):(0.3:0.7) 中红外
90年代第三代半导体材料GaN使蓝、绿色LED光效达到10 lm/w,实现全色化
目前,制作高亮度LED的材料主要为AlGaAs/AlGaInP和GaInN。
AlGaAs使用于高亮度红光和红外LED。
AlGaInP适用于高亮度红、橙、黄及黄绿LED,用MOVPE制造。
GaInN适用于高亮度深绿、蓝、紫和紫外LED,用MOCVD制造。
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