展望下一代超快I-V测试系统

Jack_ma

展望下一代超快I-V测试系统 [复制链接]

要想成为主流测试技术，下一代超快I-V测试[1]系统必须具有很宽的源与测量动态量程。这意味着它们必须能够提供对闪存器件进行特征分析所需的充足电压，以及处理最新的CMOS[2]工艺所需的足够低的电压。例如，对于CMOS工艺中的一种嵌入式闪存——该闪存可能需要高达20V的电压进行编程，但是CMOS工艺工作电压为3V，因此所采用的测试系统必须能够提供满足两种需求的电压。它还需要有足够宽的电流量程处理最新的工艺，要有足够快的上升时间和足够长的脉宽满足各种应用需求。它必须简单易用，具有使系统能够可靠提交精确测量结果的互连系统。

 

当前，超快I-V和测量功能正逐渐集成到参数分析仪中用于对越来越多的器件特征进行特征分析，尤其是负偏温度不稳定性（NBTI[3]）和正偏温度不稳定性（PBTI[4]）降低。超快I-V测量工具通过使研究人员快速一致地实现器件可靠性测量，提高了可靠性设计（DIR[5]）寿命测量的精度，而这种测量支持器件和电路设计的建模。

近来，有些研究人员被迫配置他们自己的超快BTI测试系统。这些内部开发的系统通常包含脉冲发生器或任意波形发生器，以及配置了电流探头或某种互阻抗放大器的示波器用于帮助测量低电流。尽管如果仔细选择仪器和互连设备，我们可以构建出适合非常特殊电气条件需求的BTI系统，但是仍然存在几个主要的技术挑战。

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[1] 超快I-V测试：http://www.keithley.com.cn/news/prod100223

[2] CMOS: http://www.keithley.com.cn/products/semiconductor/parametricanalyzer/4200scs/searchresults?cx=012699874533381273845%3Ayqrfisritgo&cof=FORID%3A11%3BNB%3A1&ie=UTF-8&q=CMOS&sa.x=23&sa.y=8&sa=Search#1310

[3] NBTI：http://www.keithley.com.cn/products/localizedproducts/semiconductor/s510

[4] PBTI：http://www.keithley.com.cn/products/switch/semlow/?mn=4200-BTI-A

[5] DIR: http://docs.google.com/viewer?a=v&q=cache:htnt7lbfhtQJ:keithley.com.cn/data%3Fasset%3D16360+DIR&hl=zh-CN&pid=bl&srcid=ADGEEShpAoEnwsaCewrbhbuSF8g0u14OE6SZw-sJDcvTDJ-DjQjdTDMqDc922uN8X3vtxDeQ4tZSpoXGiF7MWhYEEq_RAlC6cAdsrYD-YetlqCB8a8AD9zWF-ct7CqYtZjIjBXxHY8uY&sig=AHIEtbQLP3Uj5PCpT8pxvgqIJ6Y6Odtmkg