430中的程序存储器和flash在存放程序时的区别

suizhihen

430中的程序存储器和flash在存放程序时的区别 [复制链接]

虽然用了这么久了，不过这个问题说出来也不怕大家笑话呵呵，我是真的不是很明白呢，程序存储器和flash在使用上有什么区别啊，除了他们两在定义上的区别外，还有flash需要擦除等等；flash一般存储什么样的信息呢，在主程序中如何调用呢，我好像没有把它们的关系搞清楚呢，现在我又一堆上电以后要初始化的数据，有人建议存在flash中，那么直接在主程序中调用写flash的函数就可以了吗？而在写flash函数中定义的变量啊啥的就都是默认存在flash中了吗？比较晕，也不知道说清楚了没有，大家给指点一下或者给推荐些比较醍醐灌顶的资料让我看看把呵呵。。。。。
谢谢回答菜鸟问题的所有大侠们！！

rende

flash 在430的读写都一样 按照你的设计存放数据就行，当然你的设计要避免冲突，可以把数据放到信息存储区，这样我们的编程器能有保护这个区域的数据的功能，擦除时可以不擦除，也可以避免与程序代码的冲突，定义的变量都在内存中使用，不用自己去读flash

hhhhh88

??
说起来，对于430的构成而言，程序存储器和flash不是一码事么？

vlonson

FLASH和程序存储器对430就是一样的,都用存储常数(编译后的代码也是常数据).

程序存储器的一部份(以512字节为单位,方便擦写)可以用于保存设置参数据及不常改变的量.擦写时不同于RAM,须整块擦除.

digi01

可以查看一下output里面的lnk430f149.xcl文件，有详细的代码存储布局

zhaoxingchen

我刚把430flash的擦除，读写程序写出来了。现在我的理解是，RAM存放临时数据，程序存放在flash中，flash分成许多段，512字节许多主存储段，128字节信息存储段A、B，我也在想，程序在flash中，再向里面写数据的话，会不会和程序冲突呢？看上面有人讲的，应该是写在信息段0x1000-0x10FF时没问题，写在flash里也可以，但应查看flash，避免冲突。这样理解的，不知有问题吗？