数字低中频采用 为解决上面的一系列问题采用隔离型数字低中频。如图3,这样还是保证了其高的集成度;同样也没有中频滤波器,中频锁相环路,消除了镜像干扰,150KHz中频滤波很好的带宽选择性,由于每信道为200KHz,这样很好的消除了直流分量和低频干扰的问题。还可以防止本振荡的自身耦合和混频对接受信号的干扰。但是他就增加一个数字混频器。 这样对如手机的PCB布板是很有很大好处的,因为很多手机主板都是用的6层板,少量的是用的是8层板,除了地线,和几个从LDO出来的电源线外,多数信号线采用的4mil线宽,当然射频接受的I/Q信号线就采用的8mil,从天线开关出来向耦合器和天线走的布线就考虑很多了,线宽,走向,虽然有匹配网络来满足50欧姆功率传输功率匹配,但是一开始的走向影响是很大的,一旦布下去就最好不要经常改动,如果是同样的RF方案的话,最好追寻一种最好的布线就不要经常动了。因为在很多RF测试中和EMC测试的时候,是要花很多时间的,这样做很大的增加开发周期。所以如果外围电路得不到简化的话,射频性能很难得到改善,现在国内很多厂家的天线技术都不是很好,阻抗值,方向性都做得不是特别的精确,就算是上面的天线都正常,精确,但是手机有个很大的特点就是 Layout的空间很小,非常有限,所以很多的布线规则,如本振的底下不要走线,时钟信号要与敏感的信号线分开等,而且尽量避免FPC对射频部分的影响。这些都不能兼顾,如果说在RF部分能够留出足够的空间的话,就能更多的考虑RF的电路效应,以前都只是在功率传输,点测,和外场EMC的测试效果来分析,如果能留出更多的板内空间来进行EMC分析和微带线的耦合考虑,将会有更好的RF效果,当然前提是这些射频元件的指标都准确。目前Silicon公司有类似IC出现。
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