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一粒金砂(中级)

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IGBT及驱动电路 [复制链接]

    最近要设计一款IGBT的驱动IC,学习了大部分的驱动电路。偶有心得,总结如下:
    1、IGBT工作于大电流大电压的状态,这就要求其开关特性要好。尽量让IGBT工作在这种状态,I*V最小。换句话说,当有大电流时,CE压降最小,当有大CE压降时,电流为零。在大VCE压降,电流接近零(mA级),比较容易实现。但是在大电流时,其VCE压降总是有1~2V的压降。IGBT导通时,动不动就有几十安培的电流,这样算下来,其本身的功耗在导通时有上百瓦。所以大家看到的IGBT都是大块头,主要是散热用。
    2、在IGBT的驱动模块中,要维持IGBT尽量工作在前面描述的最小功耗区,则必须加很多的保护电路。
    A、驱动电压VGE必须要是正负电压。一般来讲,正电压为15V,负电压为10V,负电压的目的是保证IGBT快速关断。要得到正负电源,实现方式有两种。电容泵或开关变压器方式。
    B、开启一般可比关断慢。即常说的快关慢开对IGBT也是适用的。
    C、要检测VCE压降。确保IGBT开启时,VCE压降在设定的范围以内。
    D、当IGBT对管推挽输出时,驱动电路必须防止两管共通。
    也欢迎跟专业的朋友补充。
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驱动上的负压对加快关断没有作用, 主要是防止误触发  详情 回复 发表于 2011-6-17 15:47
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五彩晶圆(初级)

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说的相当好!过来学习下!
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一粒金砂(中级)

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驱动电压的话,可以采用单电源和双电源两种形式的。日本所做的驱动模块大部分都是单电源供电。
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五彩晶圆(高级)

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驱动上的负压对加快关断没有作用, 主要是防止误触发
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