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纯净的硅(初级)

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问题:为什么反馈网路的滞后环节和集成运放内部滞后环节相叠加易于满足自激振荡的条件?加C1电容为什么就可以消除振荡,C1电容是超前补偿呢,还是滞后补偿呢,为什么?
C1电容与下面三个图中的电容性质一样吗?它们在位置上有许多相似的地方。



请高手帮忙讲解一下,谢谢。

[ 本帖最后由 whwshiyuan1984 于 2011-3-27 17:15 编辑 ]
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bucuo 支持下啊  详情 回复 发表于 2011-3-29 22:33
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裸片初长成(初级)

沙发
 

有时,朴素的思考方法或许更有助于理解问题

 把握住“电容两端的电压不能突变”这一基本特征,就知道把电容跨于输出、输入间能让输出变化在第一时间传达给输入,所以是“超前补偿”。这几个图里的反馈电容都是同一性质的,而且你也看到过“把sin积分成cos”的例子了。
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纯净的硅(初级)

板凳
 

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谢谢仙猫大哥,按照大哥的办法还蛮好理解的,但还有一个疑问不太懂,书上讲密勒效应时,是把图6.6.7中C当着滞后补偿电容讲的,好像是为了减少电容的大小才让电容跨接在输入端和输出端的。而密勒效益的滞后补偿电容又与图7.2.19中的C1和图7.2.16中的C和图6.6.8中的超前补偿C有许多位置相似的地方。所以有一点纠结,不太懂。
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裸片初长成(初级)

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回复 板凳 whwshiyuan1984 的帖子

 想了下,看这样理解如何:电容在第一时间把输出的变化传递给了输入,所以对反馈信号而言起的是超前效果;但对于像运放积分电路的输入信号来说,电容滞缓了输入对输出的影响,起到的则是滞后的作用。
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纯净的硅(初级)

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昨天晚上这么晚大哥还能抽时间给我讲解,太谢谢了。懂了,谢谢大哥。
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一粒金砂(初级)

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五彩晶圆(初级)

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电容有90度以内的相移能力,在适当位置加入电容,可以破坏环路振荡的相位条件,让环路总相移偏离2*K*PI。
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五彩晶圆(高级)

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bucuo 支持下啊
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