请教103VCT6接NAND和SRAM的问题

hilltree

请教103VCT6接NAND和SRAM的问题 [复制链接]

最近在用LQFP100封装的103VCT6接SRAM：
部分代码如下：
// 初始化：
// 随后一条语句中的RCC_AHBPeriph_FSMC和RCC_AHBPeriph_SRAM有什么区别？
RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC|RCC_AHBPeriph_SRAM, ENABLE);
RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOA | RCC_APB2Periph_GPIOB | RCC_APB2Periph_GPIOC | RCC_APB2Periph_GPIOD | RCC_APB2Periph_GPIOE, ENABLE);
  /*!< SRAM Data lines configuration */
  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_8 | GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;
  GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;
  GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
  GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_7 | GPIO_Pin_8 | GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_11 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;
  GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);
  /*!< SRAM Address lines configuration */
  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_11 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13;
  GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_2 | GPIO_Pin_3 | GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_6;
  GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);
  /*!< NOE and NWE configuration */  
  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_4 |GPIO_Pin_5;
  GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
  
// LQFP100只能采用 NE1: FSMC bank1 NOR/PSRAM 1 0x6000 0000 - 0x63FF FFFF
  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_7;
  GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
  
  /*!< NBL0, NBL1 configuration */
  GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1;
  GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);
  
/*-- FSMC Configuration ------------------------------------------------------*/
  p.FSMC_AddressSetupTime = 0;
  p.FSMC_AddressHoldTime = 0;
  p.FSMC_DataSetupTime = 1;
  p.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0;
  p.FSMC_CLKDivision = 0;
  p.FSMC_DataLatency = 0;
  p.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Enable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_SRAM;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable;  
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &p;
  FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &p;
  FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);
  /*!< Enable FSMC Bank1_SRAM Bank */
  FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM1, ENABLE);  

// 下面是main.c 的部分内容，用来简单测试一下SRAM的输出信号

BSP_Init();//  里面包含了SRAM_Init();
while (1) {
  tmp = *(__IO uint8_t *)(0x60000000);    // 应该产生nOE、nE1
  *(__IO uint8_t *)(0x60000000) = tmp;    // 应该产生nWE、nE1
}

问题是：
上面的循环按理说应该产生nOE、nWE、nE1信号的，但我用示波器实际观察中发现：有nOE、nE1，但nWE恒为高，这是不对的，
仔细看了初始化代码，却找不到问题所在，请有用过的大侠指导一下！

jingdongbo

                                 同问，加急

dongmei8

                                 哥们，小弟可能找到问题了，能否出示兄台的LCD读写函数？及FSMC映射地址的表示方法？

wang72175

                                 我没有用它来驱动LCD，因此不能提供相应代码给楼上，上面提的这个问题我后来找到原因了，是硬件方面问题，不关软件设置的事，但我还是没能用100脚103VC成功地读写SRAM，参数设置那块我都反复更改测试了，都不行，怀疑100脚103VC不支持SRAM

maq2001

                                 额，是我没仔细看，我的问题是读写映射的SRAM地址错了，与片选脚对应