STM8S207的EEPROM写入后加锁，抗干扰性能明显下降？？？

zhangbochao5

STM8S207的EEPROM写入后加锁，抗干扰性能明显下降？？？ [复制链接]

我在用STM8S207CB设计一个无线模块，模块的参数都是保存在EEPROM中的。测试中发现在带电拔插模块时，参数有时会改变，经过多次测试，发现规律如下：如果修改了参数后没有按过复位键（直接接到复位引脚），带电拔插时，参数一定会变；如果按过复位键，或是没有修改过参数，则拔插不会修改参数。
参数修改代码如下：
  #define DataLock() FLASH_Lock(FLASH_MEMTYPE_DATA) //Lock the eeprom
  #define DataUnLock() FLASH_Unlock(FLASH_MEMTYPE_DATA) //Unlock the eeprom

  DataUnLock();
  myShortAddress_eep.Val = myShortAddress.Val;
  currentChannel_eep = currentChannel;
  DataLock();
我初期怀疑是EEProm加锁不成功的原因。后来在加锁之后尝试修改eeprom的参数，发现修改不了，说明加锁发生了作用。
尝试使用软件复位代替复位键，发现带电拔插仍然会改变参数。
尝试直接给模块断电，再通电，而不是带电拔插，则参数不会改变。
我现在怀疑EEPROM被写入后，虽然是被加锁，但抗噪性能明显下降，只有硬件复位才能恢复其高抗噪性能。
请高手给分析一下，是什么原因造成EEPRom这么容易受干扰？

bluecrane

最好是写个简单的project来确认下你的判断。
我用过stm8s的eeprom和flash存数据，没发现问题。
实际上由于stm8s的eeprom和flash其实是同一回事，真的掉数据的话，程序代码也会掉的。

farmerhou

                                 再好好检查一下，试一试别的地址上，或写个简单的程序。

紫皮书

                                 写个简单的程序检验一下你的判断

5586

                                 谢谢楼上的各位，经过分析，发现是RAM的资料在上电过程中异常，造成EEPROM的资料也相应改变了。取消了他们的关联之后，EEPROM的资料就很稳定了。

zhaozonghui

                                 那肯定的啦。

课程设计

                                 mark

lin20

你的问题是怎样解决的？我发现我用的STM8S，原来保存到EEPROM的值，在重新上电后，再读取出来就不对了。