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一粒金砂(初级)

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请教ST_ARM [复制链接]

  我用STR710的Bank1扩展了16M的外部Flash存储器。
连接时STR710的地址线、数据线、读、写控制线与外连的Flash进行了相应的连接。 
  我想请教的是:在IAR EWARM环境下对外部Falsh写数据时,我除了要使能BANK1,对地址线,数据线及信号线要进行怎样的操作呢? 请问有这样的例程吗
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                                 我的任务是帮助各位解决使用ST单片机时遇到的问题,而不是普及单片机的知识,讲解单片机的基础知识、基本原理不是我的工作,也不是我们设立这个论坛的目的。使用STM32的基本前提是具有单片机原理和接口技术方面的知识和经验,以及基本的C语言编程能力,如果不具备这些基本条件,你需要自己通过其它途径补上相关知识。   详情 回复 发表于 2008-8-22 10:18
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ST_ARM不在吗?ST的其他高手请提点建议呗

                                  
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在IAR EWARM环境下

                                 你要将*.xcl进行修改,添加Flash的地址范围。
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请教香帮主

【新发布的应用笔记】使用高容量STM32F10xxx连接外部存储器 
有对应的可以下载的例程程序包了吗?
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你可以直接到ST网站上查看下载

http://www.st.com/stm32

点击:Documents and Files for STM32 Family
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还没有可以下载的例程啊

刚到网站上看了一下,还没有对应的例程可以下载。

有没有人以前用过EMI外扩了Flash啊 希望能指教一下 我都有点不知道从何下手了
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Falsh的型号

补充说明:我用的Flash型号为AT49BV320,是ATMEL的,它与ST的M28W320ECT或M28W320ECB几乎是一样的。

有用过的人请帮帮忙吧
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有没有人用过啊

                                  
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ST的高手请进

                                 看了一个ZLG用EMI外扩Flash存储器的例子,可是人家用于做地址及数据总线的都是并口。而ST的不是,直接就是什么D0~D15,A0~A23。这样的话可咋操作啊? 还有像什么读写信号的,就是一位 要怎么赋值啊
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楼主问这个问题说明你根本不知道什么是存储器外扩

                                 所谓存储器外扩就是把存储器放在片外,对外部存储器的操作与对内部存储器操作方式没有区别,只是操作地址不同,所有的数据、地址和控制信号都由STM32的内部控制器自动产生,不用任何程序直接赋值,你唯一要做的是根据存储器的特性和时序,配置好EMI控制器即可。
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唉...

                                  
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就是因为不是很清楚才发问的

如果我要是那么明白的话还用问吗

相信任何人学东西都是一步步来的,没有人一下子什么都会。
对于香主的指教我很感激,但我还是忍不住发表了一下个人言论……
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这个问题不是STM32特有的问题,是一个基础性的问题

我的任务是帮助各位解决使用ST单片机时遇到的问题,而不是普及单片机的知识,讲解单片机的基础知识、基本原理不是我的工作,也不是我们设立这个论坛的目的。

使用STM32的基本前提是具有单片机原理和接口技术方面的知识和经验,以及基本的C语言编程能力,如果不具备这些基本条件,你需要自己通过其它途径补上相关知识。
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