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一粒金砂(初级)

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STM32能跑72M是真是假? [复制链接]

                                 有人说,ST 的FLASH最快24M,CPU 在72M时还要等上2个周期,那就是达不到72M了,如果说在SRAM里能跑就没意义了。
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                                 1024点的基4复数运算只要0.7ms,基2的指标有吗?   详情 回复 发表于 2008-2-15 09:04
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一粒金砂(初级)

沙发
 

有2个精华帖,专门讲你说的问题

有人说,ST 的FLASH最快24M,CPU 在72M时还要等上2个周期,那就是达不到72M了,如果说在SRAM里能跑就没意义了。

这是因为他根本不了解STM32和Cortex-M3的结构,信口开河而已。

看看下面2个精华帖吧。

STM32从Flash中运行程序的时序分析

跑在ram里快?还是跑在flash里快?
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板凳
 

差不多吧

                                 但是取指宽度是64bit,有些指令是16bit,有些32bit,所以实际上应该不需要等2个周期。实际的吞吐量需估计接近1MIPS/MHz
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在Flash中运行的确会打折

                                 但是也会比ARM7快
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4楼能帮忙解释这张表上数据的含义吗?

您认为在Flash中运行应该打几折呢?

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5楼上的表是STR9的

STR9没有用过,
表上是在不同情况下FFT算法的耗时,1024点计算的话程序在Flash,数据在SRAM中需要713.896ms,而程序,数据都在SRAM中需要941.896ms,这样可以说在Flash中运行只有在SRAM中的75%

和我在STM32中测试的结果差不多。但是由于Cotex核的优势,同样频率下,在Flash运行也比同样频率下在SRAM中运行的ARM7稍快
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楼上说的在Flash中运行只有在SRAM中的75%,是指时间还是速度

如果说“在Flash中运行只有在SRAM中的75%”是指时间,是否可以理解成在Flash中运行耗时较少?

如果说“在Flash中运行只有在SRAM中的75%”是指速度,是否可以理解成在Flash中运行耗时较多?

这完全是两个相反的结论,不知道6楼是哪个意思?


我之所以拿STR9的数据做参考,是因为STR9的存储器与核心的关系与STM32相同,而ARM7与上面两个不同。
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当然是只速度

                                 在Flash中速度只有RAM中75%
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可是从5楼给出的表中可以清楚看出Flash中运行耗时较少

6楼也引用了那个数据,“1024点计算的话程序在Flash,数据在SRAM中需要713.896ms,而程序,数据都在SRAM中需要941.896ms”。

713.896ms < 941.896ms

结论应该是在Flash中运行速度更快才对呀。
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晕,我眼花看错了哦

不过我实际测试是Flash中速度慢
表中的数据我就不知道是怎么回事了
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能否把您的测试程序贴上来,我们一起分析一下

其实这个帖子(STM32的代码,跑在ram里快?还是跑在flash里快?)的楼主也说的很清楚,要具体情况具体分析;他同样的C程序,只是优化与未优化,就会有截然不同的结论;我在之后的分析中也指出了产生这种现象的原因。

10楼的朋友如能分享您的测试程序,对大家更深入地理解这个问题是非常有益的,谢谢。
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借用公司的一个程序做的测试

虽然很简单,但是也不好拿出来。
不过测试对STM32芯片的各项性能还是比较满意的,现在就是等32KRAM的芯片了。出来之后做个样机再看看哪里可以优化的。
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既然这样,您可以根据我在2楼给出的2个帖子中的原理自己分

                                 我相信,当你明白了这个原理,你可以进一步更好地、有目标地优化你的程序。需要时再回来讨论。
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好贴!

                                 这个讨论,让我见识了STM32真正的性能!好贴!
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microsecond 微秒也

                                 1024点的基4复数运算只要0.7ms,基2的指标有吗?
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