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STM32的FLASH可以跑到72MHZ吗??? [复制链接]

                                  
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                                 但有一点是可以肯定的,目前的工艺水平下,内置Flash的速度最多能跑到30MHz多一些,不超过40MHz。   详情 回复 发表于 2007-12-27 10:50
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STM32的FLASH可以跑到72MHZ?

                                 请看下面在13楼的详细分析。
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是全数执行吗???0等待????

                                  
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比NXP的高了???

俺记得去年听课,FLASH最高也不超过60M.
而且NXP内部有128字的RAM缓存才能达到零等待.
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101和103差别不大?

                                 如果要等待,则103的72MHz意义岂不大?
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不用缓冲不可能

                                 跑那么高的。
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NXP的基本上是零等待,在RAM及FLASH的运行速度一致

NXP的基本上是零等待,在RAM及FLASH的运行速度一致

ST的也一致?
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ST的不是基本上是零等待

而是肯定的零等待,在RAM的速度可以比在FLASH中快。

NXP内部有128字的RAM缓存才能达到零等待,是因为NXP的FLASH速度比较慢,为了能够保证数据流能够跟上ARM内核的速度,而ST的FLASH速度快,每次只需要读64bit就可以实现0等待运行。
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STM32的FLASH可以跑到72MHZ吗?0等待周期?

  回答是否定的。如果仔细看STM32的Demo程序就可以看到,跑在高频率时,必须插入等待周期。虽然要插入等待周期,101和103相比还是有差别的,72M的运行速度当然比36M要快。
  至于跟NXP的 Arm7比较,72M的STM32当然比NXP 60M的Arm7快,60M的STM32也比NXP 60M的Arm7快。
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60M的STM32也比NXP 60M的Arm7快???

不可能吧,在flash中运行NXP是0等待的啊,STM32要插入等待周期,假如插入1个等待周期,STM实际上是30MHz,可能比60MHz的快吗?

感觉这个问题搞的有点乱了,其实我们关心的是在flash中运行是不是0等待,而不是flash是不是0等待.
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re

在RAM的速度可以比在FLASH中快。
如果是在RAM中快,那么FLASH就不是零等待了.

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60M的STM32也比NXP 60M的Arm7快?

  回答是肯定的。这句话虽然不是100%成立,但应该在90%的情况下都成立。那10%不成立的情况是:代码全部使用汇编语言。
  60M的STM32也比NXP 60M的Arm7快,这主要得益于内核的优势,STM32使用的是
最新的CortexM3内核,与Arm7相比优势明显。CortexM3使用的是16位和32位混合的Thumb2指令集,架构是哈佛结构,而Arm7的架构是冯诺伊曼结构。所以即使Flash的接口只有64位,那么60M的STM32也能轻松地快过NXP 60M的Arm7。
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STM32从Flash中运行程序的时序分析

在Flash的速度比CPU慢的情况下,并不能简单地说程序的执行是否有等待周期;请看下面的分析:

首先,STM32的内部Flash是组织成64位宽度,即每次可以读出64位;在Flash与CPU的取指队列之间有两个缓冲器,用于暂存Flash中取出的指令,见下图。

其次,STM32的指令有16位的也有32位的,指令是从图中绿色的缓冲器取出;当绿色缓冲器变空时,黄色缓冲器中的内容会被复制到绿色缓冲器中;这样取指与读取Flash互不干扰。

正因为STM32的指令有不同长度,所以程序执行的等待周期与程序的内容有关。

图一是假定所有指令都是16位的指令:
1)时刻t0时黄色缓冲器和绿色缓冲器都为空,此时CPU等待3个周期后,到时刻t1时才能读到指令;
2)时刻t1时绿色缓冲器被填满,黄色缓冲器仍为空,Flash控制器继续读取后续指令;
3)时刻t2时绿色缓冲器还有两个字节,黄色缓冲器被填满;此时因为两个缓冲器都有数据,读取Flash的操作暂停(图一中的绿色虚线框所示);
4)当黄色缓冲器变空时,绿色缓冲器被复制到黄色缓冲器,同时恢复读取Flash的操作;
5)时刻t3时缓冲器的状态又变为上述第3)步的状态。

从以上分析可以看出,CPU的指令执行是没有等待周期的。但当执行跳转指令时,Flash缓冲器中的内容作废,系统回到了上述第1)步的状态。

图二是假定每三条指令中有两条16位的指令和一条32位的指令。这种情况下,如图所示,CPU的指令执行也是没有等待周期的。

图三是假定所有指令都是32位的指令,从图中可看出,CPU每执行两条指令,要插入一个等待周期。

上面的分析只是针对每个CPU周期都有取指操作的情况,而实际的操作中情况并没有这么简单,因为Cortex-M3的指令不都是单周期指令。

所以说,楼上各位的分析都对,但都不全面。实际的程序执行情况是受很多因素影响的,单纯静态的分析也是不现实的,因此才会出现这么多评测的标准和数据。我们应该以平均的性能指标作为参考的依据,而不是简单的有没有或有多少等待周期作为判断的依据。
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STM32从Flash中运行程序的时序分析图

                                 总算把图整上来了。
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连斑竹都不知道

                                 我们平民就更不知道了
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顶上来!很好的讨论!

                                  
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拿这个和ARM7比较没啥意思

                                 最好能拿群星的cortex-M3比较,群星的好像50MHz
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没有研究过群星的产品,17楼的如有兴趣可以比较一下

                                 但有一点是可以肯定的,目前的工艺水平下,内置Flash的速度最多能跑到30MHz多一些,不超过40MHz。
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