请教大家一个异步FIFO的问题

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请教大家一个异步FIFO的问题 [复制链接]

 

 

最近在做一个异步的fifo，有一些疑问想请教大家：

首先，我使用的SRAM模型是这样的：在写时钟wrclk的上升沿检测写使能valid_wr，如果有效，则在相应的地址wraddr中写入数据datain，在读时钟rclk的上升沿检测读使能valid_rd，如果有效，则读出相应地址raddr的数据dataout。（valid_wr和使能wr_en及full_n有关，valid_rd和使能rd_en及empty_n有关），我在空满标志位产生上有一个疑问，比如说写数据吧，如下图所示：

在这个图中，假设只写数据没有读数据，假设外部总线其所发出的数据为DATAIN和WREN，（注意到所给数据只在clk的上升沿变化），在clk第一个上升沿（如图）发送第一个数据，此时wr_ptr为M-2，而同步后的读指针syn_rd_ptr为M，且不变，在第二个上升沿fifo检测到rwen，并且full无效且valid_wr有效，则写入数据data1，wr_ptr加1变为M-1，full不变，与此同时外部总线检测（也在上升沿，即在clk2这点）full，没有满，则继续发数据data2，注意，这时候两个指针只差一个，在第3个clk上升沿，fifo检测到wr_en，且valid_wr有效，则写入data2，而由于写信号引起了指针相等，则此时ful有效，即表示fifo满了，问题来了，此时（clk3上升沿）外部总线要检测full信号以决定是否继续发数据，但监测点full为高，即表示未满，则外部总线还可以继续发送数据，而此时valid_wr已经无效，数据不会写进SRAM中。我就很奇怪，这样做确实可以防止fifo被重复写，但总线上发出的数据并没有被写进去，好像丢了一样，我自己分析是不是总线在检测full信号时并不是在上升沿去做，如果在下降沿来检测full信号，则就可以看到full的变化，在上图中就是wr_en和data_in都向后推半个周期，这样就看似合理了，就像iic总线中主机和从机的关系那样，主机下降沿发数据，从机上升沿接数据，但现在的电路中很少使用双沿，搞不明白，还请大家帮助一下。

eeleader-mcu

读写FIFO 或SRAM 把握以下两个原则，保证你没任何问题：

1。 写FIFO 或SRAM 时， 写信号，数据和地址 同时有效， 数据在一个时钟周期就可以写入FIFO或SRAM;

2.    读FIFO或SRAM 时，读信号，地址同时有效，数据在延迟一个系统时钟周期，数据有效。

dicer

O(∩_∩)O哈哈~，我不懂。。。。