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纯净的硅(高级)

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DC-DC中MOS管怎么选择? [复制链接]

最近用凌特的LTC3704做了一个负电源,用的是推荐设计。MOS管选的是FDS8896的so-8这样的封装,输入电压12V,调试的过程中发现MOS有时候会被击穿,于是换了一个耐压值高的直插MOS管,但是换上过后在空载的情况下电压输出误差很大,必须通过调控制芯片的频率才能达到规定的输出,但问题又出现了。在带负载的情况下,电压又降了很多,而且负载越重电压降得越多。我比对了一下两个MOS管的参数,直插的导通电阻2毫欧,SO-8的7毫欧;直插的耐压值70V,SO-8的是30V;直插的Id是15A,SO-8的是18A,差距最大的是他们的上升、下降、关断延迟、开启延迟时间。难道这些都会有影响吗?或者还是因为其他的什么影响?
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在带负载的情况下,电压又降了很多,而且负载越重电压降得越多。 这有可能是芯片限功率了  详情 回复 发表于 2010-8-20 23:34
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一粒金砂(中级)

沙发
 
不是很懂,帮顶一下
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纯净的硅(中级)

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在带负载的情况下,电压又降了很多,而且负载越重电压降得越多。
这有可能是芯片限功率了
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