NAND FLASH从K9F1208修改成K9F1G08要跳电阻？为什么？不是完全兼容吗？难道操作的周期数不一样？

jyhsaka159

NAND FLASH从K9F1208修改成K9F1G08要跳电阻？为什么？不是完全兼容吗？难道操作的周期数不一样？ [复制链接]

NAND FLASH从K9F1208修改成K9F1G08要跳电阻？为什么？不是完全兼容吗？难道操作的周期数不一样？

liu21b

需要跳电阻吗？什么电路？接口应该是兼容的。两者操作时序上略有不同，但是对硬件没影响。

zhangjmxx

要的，这个容量不一样，有几个GPIO的接法不一样的。

8444574

mark下。。。。怕以后出问题。。。现在用的是1G的

zbk81023

引用 2 楼 gooogleman 的回复:
要的，这个容量不一样，有几个GPIO的接法不一样的。

不明白原因啊，也不知道怎么接啊

haimao

不懂，路过

老衲

引用 4 楼 xqhrs232 的回复:
引用 2 楼 gooogleman 的回复:
要的，这个容量不一样，有几个GPIO的接法不一样的。


不明白原因啊，也不知道怎么接啊

————我用的是2440，在nand flash手册那章节，有说明的。只是比较隐蔽而已。估计6410也是同样的道理。

bager_2000

引用 4 楼 xqhrs232 的回复:
引用 2 楼 gooogleman 的回复:
要的，这个容量不一样，有几个GPIO的接法不一样的。


不明白原因啊，也不知道怎么接啊

————我用的是2440，在nand flash手册那章节，有说明的。只是比较隐蔽而已。估计6410也是同样的道理。

conniezhou

看到了，原来不同的页大小，还要进行不同的配置，到时试一下了！

TonnySun

1。K9F1208页大小------512 BYTE---------SLC-----操作周期数4
2。K9F1G08页大小------2K  BYTE---------MLC-----操作周期数4？

lyang996

这个调电阻主要是跟页的大小对应起来------512 BYTE/页++++2K BYTE/页
MLC++++SLC跟这个无关.6400/6410对两种存储方式(SLC++++MLC)的NAND FLASH都支持


1.SLC------单层存储
2.MLC------多层存储


什么是SLC？

SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。

　　SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。

什么是MLC？

MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。

　　英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。

tyutlx

介绍SLC++++MLC的文章


[url=http://www.dramx.com/Information/Knowledge/FLASH/Post/6864/Default.aspx][/url]

jielii

引用 3 楼 xumercury 的回复:
mark下。。。。怕以后出问题。。。现在用的是1G的

你的K9F1G08的驱动是怎么得到的？三星提供有？还是修改那个大小块的标识？

koko

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上面的根据nandFlash参数修改上拉，和下拉电阻，支持1G08 或8G08