三星的系列NandFlash有什么区别？K9F1G08/2G08/4G08/8G08.他们都是大块(2KB每页)的NAND FLASH？他们的驱动可以完全公用？

mosquit

三星的系列NandFlash有什么区别？K9F1G08/2G08/4G08/8G08.他们都是大块(2KB每页)的NAND FLASH？他们的驱动可以完全公用？ [复制链接]

三星的系列NandFlash有什么区别？K9F1G08/K9F2G08/K9F4G08/K9F8G08.他们都是大块(2KB每页)的NAND FLASH？他们的驱动可以完全公用？还是不同芯片驱动要进行不同的修改？

cjcnsn

还有个SLC,MLC不大清楚是什么区别

yhen

搞错了,是下面几个的区别

1.K9F1208/K9F1G08/K9F2G08

2.K9G8G08

ray23

非常相似，只要照着框架写就可以。
稍微有点差别。

有些只是块数量不同而已

ROCKLI202

总算明白了

1.K9F系列的是SLC结构的NANDFLASH
2.K9G系列的是MCL结构的NANDFLASH

6400/6410对SLC/MLC的NANDFLASH都支持

SLC的页还有512BYTE和2K BYTE之分,不同的页大小就要对应调OM[0:4]的那几个电阻了

MLC的页很多只有2K BYTE的

luodongdong

我今年都没有机会6410了。

yjx7971

引用 5 楼 gooogleman 的回复:
我今年都没有机会6410了。

6410性能如何？

qlmiao

没人用K9F1G08？有的话，

你的K9F1G08的驱动是怎么得到的？三星提供有？还是修改那个大小块的标识？

wangjun01

引用 1 楼 xqhrs232 的回复:
还有个SLC,MLC不大清楚是什么区别

SLC and MLC的区别：

首先是存取次数。MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入，而SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。这个1万次指的是数据写入次数，而非数据写入加读取的总次数。数据读取次数的多寡对闪存寿命有一定影响，但绝非像写入那样严重。

其次是读取和写入速度。这里仍存在认识上的误区，所有闪存芯片读取、写入或擦除数据都是在闪存控制芯片下完成的，闪存控制芯片的速度决定了闪存里数据的读取、擦除或是重新写入的速度。SLC技术被开发的年头远早于MLC技术，与之相匹配的控制芯片技术上已经非常成熟。

第三是功耗。SLC架构由于每Cell仅存放1bit数据，故只有高和低2种电平状态，使用1.8V的电压就可以驱动。而MLC架构每Cell需要存放多个bit，即电平至少要被分为4档（存放2bit），所以需要有3.3V及以上的电压才能驱动。

第四是出错率。在一次读写中SLC只有0或1两种状态，这种技术能提供快速的程序编程与读取，简单点说每Cell就像我们日常生活中使用的开关一样，只有开和关两种状态，非常稳定，就算其中一个Cell损坏，对整体的性能也不会有影响。在一次读写中MLC有四种状态（以每Cell存取2bit为例），这就意味着MLC存储时要更精确地控制每个存储单元的充电电压，读写时就需要更长的充电时间来保证数据的可靠性。它已经不再是简单的开关电路，而是要控制四种不同的状态，这在产品的出错率方面和稳定性方面有较大要求，而且一旦出现错误，就会导致2倍及以上的数据损坏，所以MLC对制造工艺和控制芯片有着更高的要求。

第五是制造成本。MLC技术原来每Cell仅存放1bit数据，而现在每Cell能存放2bit甚至更多数据，这些都是在存储体体积不增大的前提下实现的，所以相同容量大小的MLC NAND Flash制造成本要远低于SLC NAND Flash。

jimmydiy

引用 8 楼 flyalice 的回复:
引用 1 楼 xqhrs232 的回复:
还有个SLC,MLC不大清楚是什么区别

SLC and MLC的区别：

首先是存取次数。MLC架构理论上只能承受约1万次的数据写入，而SLC架构可承受约10万次，是MLC的10倍。这个1万次指的是数据写入次数，而非数据写入加读取的总次数。数据读取次数的多寡对闪存寿命有一定影响，但绝非像写入那样严重。

其次是读取和写入速度。这里仍存在认识上的误区，所有闪存芯片读取、写入或擦除数据都是在闪存控…

这个我已经了解了

badapple628

不懂，帮顶

caviler

不懂，帮顶

li_dm528

我记得有人在玩K9F1G08，有用的出来说一声啊！

cncdrawer

看明白了datasheet就可以弄了，我以前也是走了好多弯路，最后还是回到datasheet

zhouyiguang

   // Maker ID, Device ID, tRP, tWP,  tWB, tWH, tRH
SAMSUNG_ID, DEVICE_ID_K9K1G08Q0A, 40,  40,  100,  20,  20, // 0x78
// SAMSUNG_ID, DEVICE_ID_K9K1G08U0A, 25,  35,  100,  15,  15, // 0x79
SAMSUNG_ID, DEVICE_ID_K9K1G08U0M, 30,  35,  100,  15,  15, // 0x79
SAMSUNG_ID, DEVICE_ID_K9F1G08Q0M, 60,  60,  100,  20,  20, // 0xA1
你要根据datasheet来写出这些参数
一般会在EBOOT里面用的。fmd.cpp你看看。如楼上所说。看看datasheet上的描述吧。

linhuanhuan

引用 14 楼 xumercury 的回复:
// Maker ID, Device ID, tRP, tWP,  tWB, tWH, tRH
SAMSUNG_ID, DEVICE_ID_K9K1G08Q0A, 40,  40,  100,  20,  20, // 0x78
// SAMSUNG_ID, DEVICE_ID_K9K1G08U0A, 25,  35,  100,  15,  15, // 0x79
SAMSUNG_ID, DEVICE_ID_K9K1G08U0M, 30,  35,  100,  15,  15, // 0x79
SAMSUNG_ID, DEVICE_ID_K9F1G08Q0M, 60,  60,  100,  20,  20, // 0xA1
你要根据datasheet来写出这些参数
一般会在EBOOT里面用的。fmd.cpp…

就修改这些?