碳化硅功率器件的特点和应用领域

火辣西米秀

碳化硅功率器件的特点和应用领域 [复制链接]

相对于第一代硅基半导体，碳化硅功率器件禁带宽度大，电导率高、热导率高，具有更强的耐高压、高功率能力，体积更小，更适合作为衬底材料。通常半导体外延的材料在高压和高可靠性的需求下，通常会选择碳化硅。

相比硅基材料，碳化硅器件耐高温：硅基材料120°C场景需要散热，使用碳化硅在175°C结温不需要散热，可承受600°C以上高温环境；高压大功率：二极管600-1700V，MOS管800-3300V，如新能源车直流快充仅15分钟可完成80%；高频率：能量损耗减少了四分之三，转化率高；小体积：因为阻抗小，同性能的碳化硅器件尺寸缩小到硅基的十分之一，模组尺寸更大幅缩小。

碳化硅功率器件以其优秀的特性，被广泛地应用于新能源汽车、光伏逆变器、储能和充电桩等领域。其中碳化硅功率器件在新能源汽车领域的使用已经蔚然成风，其在领域内的更新换代使得新能源汽车从400V平台向800V平台跃迁，10分钟内充满80%电量，缓解车主的“里程焦虑”和“充电焦虑”。碳化硅功率器件的未来将更广泛地应用于新能源汽车、泛新能源等市场。

生酱哥

碳化硅功率器件在电动汽车、可再生能源系统、电网管理、高铁牵引、工业电机驱动、家电等多个领域都有广泛的应用需求。

乱世煮酒论天下

SiC的IGBT在逆变电路中能做到这么高的开关频率，达到十几k，温升这么低，这是什么原因？