器件：IKW75N65EH5（晶体管）IPW60R120P7，MSP430F5152IRSBR（16位微控制器）

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器件：IKW75N65EH5（晶体管）IPW60R120P7，MSP430F5152IRSBR（16位微控制器） [复制链接]

明佳达电子，星际金华【供应，回收】IKW75N65EH5（晶体管）IPW60R120P7，MSP430F5152IRSBR（16位微控制器）。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

 

IKW75N65EH5：高速 650V 硬开关 IGBT TRENCHSTOP™ 5 晶体管
型号：IKW75N65EH5
封装：TO-247-3
类型：IGBT 晶体管
IKW75N65EH5——产品属性：
系列：TrenchStop™
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：90 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
功率 - 最大值：395 W
开关能量：2.3mJ（导通），900µJ（关断）
输入类型：标准
栅极电荷：160 nC
25°C 时 Td（开/关）值：28ns/174ns
测试条件：400V，75A，8 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：92 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3

 

IPW60R120P7：600V CoolMOS™ P7 超级结 (SJ) MOSFET 晶体管
型号：IPW60R120P7
封装：TO-247-3
类型：MOSFET 晶体管
IPW60R120P7——产品属性：
系列：CoolMOS™ P7
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 8.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 410µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1544 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：95W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3
封装/外壳：TO-247-3

 

MSP430F5152IRSBR：25MHz，16位MCU——混合信号微控制器，WQFN-40
型号：MSP430F5152IRSBR
封装：WQFN-40
类型：16位微控制器 - MCU
MSP430F5152IRSBR——产品属性：
核心处理器：MSP430 CPUXV2
内核规格：16 位
速度：25MHz
I/O 数：31
程序存储容量：16KB（16K x 8）
程序存储器类型：闪存
RAM 大小：2K x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.8V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 11x10b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：40-WQFN（5x5）