传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点？

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传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点？ [复制链接]

传统的低压大电流的一代硅MOS相比有哪些优缺点和异同点？ 1.封装小，内阻低，结温高，热阻小，结电容小、Id大，vth小的，这种传统的低压大电流的一代半导体硅MOS和三代半导体氮化镓GAN相比有哪些优缺点和异同点？(比如耐压60V以上，封装小，内阻低，热阻低、结电容小、结温高，Id大，vth小的) 2.像这种低压、大电流、小体积、小内阻的MOS有哪些国产厂商在做？帮忙推荐几个做得好的厂家 3.COOLMOS、氮化镓GAN、碳化硅SiC、砷化镓GaAS又和上面方框哪些有什么区别？

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优缺点和异同点？

这些东西，网上难找？到处都是了吧，即便给搬过来一些，你能认真看吗

 

对于做实际工程的技术来说，主要看使用的效果，比如，低功耗到什么程度，体积能小多少，效率高低，成本是否能接收

新材料制造工艺上的东西，理论上不一定能搞的明白。

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碳化硅 SiC的管子，禁带宽度比硅大，击穿电压为硅的 8-10 倍，导热率为硅的 4-5 倍

适合高耐压、大功率的电力电子器件，

电网、新能源汽车、光伏风电这些，都是大公司，大产业集群产业，国家工程大工程的，不缺钱的行业再用，或者你是高精特新公司，不差钱。

因为这些新材料器件的制备工艺有一定的难度，所以成本相对高

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国产低压、大电流、小体积、小内阻MOS厂商推荐

 

富鼎(APEC)：MOS、IGBT、Power IC等
微碧半导体(VBsemi)：MOS的研发和制造
士兰微：集成电路，MOS管，啥都有
华润微：MOS产品线
东微半导体：MOS和IGBT
扬杰科技：MOS 产品，低、中、高压

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