MOSFET晶体管 IPP051N15N5 / A19420LUBBTN 传感器 / TPS7A2650DRVR 低压降稳压器

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MOSFET晶体管 IPP051N15N5 / A19420LUBBTN 传感器 / TPS7A2650DRVR 低压降稳压器 [复制链接]

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IPP051N15N5：OptiMOS™ 5系列——150V，N通道功率 MOSFET 晶体管
描述：IPP051N15N5 是 150V，OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 晶体管，特别适用于叉车和电动摩托车等低压驱动以及电信和太阳能应用。此外，超低反向恢复电荷（SuperSO8 中的 Q rr = 26 nC）提高了换向的坚固性。
IPP051N15N5——产品属性：
系列：OptiMOS™ 5
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.1 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.6V @ 264µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7800 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：300W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-3-1
封装/外壳：TO-220-3

 

A19420LUBBTN：高精度霍尔效应传输速度传感器 IC
描述：A19420LUBBTN 是一款经过优化的霍尔效应集成电路 (IC)，可测量旋转目标的速度。该传感器 IC 可用于直接测量环形磁铁，或与磁铁反向偏压以测量铁质目标。
A19420LUBBTN——产品属性：
类型：霍尔效应
输出类型：电流
致动器材料：黑色金属
频率：12 kHz
电压 - 供电：4V ~ 24V
工作温度：-40°C ~ 150°C
封装/外壳：2-SIP 模块

 

TPS7A2650DRVR：具有电源正常指示功能的 500mA、18V、超低 IQ、高精度、可调节低压降稳压器
描述：TPS7A2650DRVR 低压降 (LDO) 线性稳压器支持 2.4V 至 18V 输入电压范围，并具有极低的静态电流 (IQ)。在电流为 500mA 时，TPS7A26 LDO 拥有小于 590mV 的最大压降，因此它比标准线性稳压器的工作效率更高。
TPS7A2650DRVR——产品特性：
超低 IQ：2.0µA
输入电压：2.4V 至 18V
可用输出电压选项：
固定电压：1.25V 至 5.5V
可调节：1.24V 至 17.4V
在温度范围内的精度为 1%
低压降：电流 500mA 时为 590mV（最大值）
开漏电源正常状态输出
主动过冲下拉保护
热关断保护和过流保护
工作结温范围：–40°C 至 +125°C
与 1µF 输出电容器一起工作时保持稳定
封装：6 引脚 WSON

 

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