2SK2918-01-VB一种TO220封装Single-N-Channel场效应管

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### 产品简介

**型号：2SK2918-01-VB**  
**封装：TO220**  
**配置：单N沟道**  
**技术：沟道技术**

2SK2918-01-VB 是一款高性能N沟道MOSFET，采用TO220封装，适用于中压高电流应用。其200V的漏源电压（VDS）和30A的漏极电流（ID）使其在需要中等电压但高电流输出的电路中表现出色。110mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@ VGS=10V确保了低功耗和高效率。

### 详细参数说明

- **漏源电压 (VDS)**: 200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 110mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术类型**: 沟道技术
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道

 

### 应用领域和模块示例

2SK2918-01-VB 的高性能特性使其适用于多种应用领域：

1. **电源管理系统**: 该MOSFET可用于开关电源（SMPS）和不间断电源（UPS）系统中，帮助实现高效能和可靠性。

2. **电机驱动器**: 在需要中等电压但高电流输出的电机控制器和驱动模块中，该MOSFET可以提供稳定的电流输出。

3. **工业控制**: 在工业自动化和机器人控制系统中，2SK2918-01-VB 可用于电源管理和驱动电路，确保设备的高效运行。

4. **电动汽车充电桩**: 由于其中等电压和高电流特性，该MOSFET可用于电动汽车充电桩中，提供高效的电能转换和电流输出。

5. **LED照明**: 在需要中等电压和高电流输出的高功率LED照明系统中，该MOSFET可以用于电源和驱动电路，提供稳定的电流输出和高效的能源转换。

2SK2918-01-VB 的优异电气特性和可靠性设计使其成为中压高电流应用中的理想选择，能够满足各种领域对高性能MOSFET的要求。

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