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2SK2917-VB一种TO3P封装Single-N-Channel场效应管 [复制链接]

### 产品简介

2SK2917-VB是一款由VBsemi生产的单N沟道MOSFET,采用TO3P封装。该MOSFET具有高耐压和适中电流特性,适用于各种中高压功率开关和电源管理应用。其采用了SJ_Multi-EPI技术,具有低导通电阻和高效能量转换的特性,适合对功率要求较高的应用。

### 详细参数说明

- **型号**: 2SK2917-VB
- **封装**: TO3P
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压(VDS)**: 600V
- **最大栅源电压(VGS)**: ±30V
- **阈值电压(Vth)**: 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 190mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域及模块示例

2SK2917-VB MOSFET适用于以下领域和模块:

1. **电源管理**:
   - **开关电源**:在中高压功率的开关电源中,可用作电源开关元件,提供稳定的输出电压。
   - **逆变器**:在逆变器电路中,用于将直流电转换为交流电,适用于中高压功率的应用场景。

2. **工业控制**:
   - **电机驱动**:用于中高功率电机的驱动,提供稳定的电流输出。
   - **电源开关**:在一些中高压功率的工业设备中,用作电源开关元件,确保稳定的电源输出。

3. **电动汽车充电器**:
   - 在电动汽车充电器中,作为高压高功率开关元件,提供快速充电能力。

4. **太阳能逆变器**:
   - 用于太阳能逆变器中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供给电网使用。

综上所述,2SK2917-VB MOSFET具有较高的性能和广泛的应用领域,适用于许多中高压功率的电子设备和系统。

2SK2917-VB.pdf (225.51 KB, 下载次数: 0)
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