2SK2902-01MR-VB一种TO220F封装Single-N-Channel场效应管

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### 2SK2902-01MR-VB MOSFET 产品简介

2SK2902-01MR-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），封装形式为 TO220F。该型号 MOSFET 具有较高的漏源电压和低导通电阻的特性，适用于各种高性能电源管理和开关应用。

### 2SK2902-01MR-VB 详细参数说明

- **封装类型**：TO220F
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：12mΩ @ VGS = 4.5V, 10mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：70A
- **技术类型**：Trench

### 适用领域和模块的应用举例

2SK2902-01MR-VB MOSFET 由于其高漏源电压和低导通电阻的特性，适用于各种高性能应用。以下是一些具体应用领域和模块示例：

1. **电源管理系统**：在高压电源管理系统中，该 MOSFET 可用于开关模式电源（SMPS）和逆变器，提供高效的电能转换和管理。
2. **电动工具**：在高功率电动工具中，该 MOSFET 可用于电机驱动电路，提供高效的电能转换和控制。
3. **电动车辆**：在电动车辆的动力电池管理系统中，该 MOSFET 可用于功率开关器件，提供高效、稳定的电能管理。
4. **LED 照明系统**：在高功率 LED 照明驱动电路中，该 MOSFET 作为开关器件，能够提供高效的电能转换和长寿命的工作特性。
5. **工业自动化**：在工业自动化设备中，用于控制高压电动机和其他电气设备，提供稳定的电源和控制信号。

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